刚学模电，遇到问题。。。小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？

2019-03-25 18:14发布

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模电书上都是这样定义的，三极管临界饱和时的管压降，临界饱和时Vce=Vbe，即Vbc=0，硅管区饱和压降VCES为0.3V,导通时Vbe约为0.7V，据此，临界饱和时的管压降应该为0.7V左右才说得通呀。
如果NPN管，VCE=0..5V,VBE=0.7V,按理说都是正向偏置，但是VCE大于0.3啊，那这算什么。。？
就没一本书上讲得透彻的。求高人指点。 此帖出自小平头技术问答
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8条回答
yulzhu
2019-03-26 06:52
典型值，这与半导体特性有关，随着温度的变化，整个电压的变化。可参考二极管的压降温度曲线

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