LPC1788运行在SDRAM中，不知道为什么运行速度比在FLASH中运行变慢了。

2019-03-25 20:04发布

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使用LPC1788，APP运行在SDRAM地址0XA0000000处，感觉程序执行速度明显变慢了。APP应用程序原本在FLASH地址为0X2000处执行没有问题的。
（1）、BootLoader基本情况，使用CPUCLK=120MHZ，EMCCLK=60MHZ,PCLK=60MHZ，跳转到SDRAM中执行APP，中断向量表存放在SRAM。
（2）、APP基本情况，使用CPUCLK=120MHZ，EMCCLK=60MHZ,PCLK=60MHZ，TFT显示，NAND使用Yaffs2文件系统，SD卡使用FATFS文件系统。
遇到问题：
（1）、TFT显示刷屏明显变慢。同样的APP程序，SDRAM中刷屏速度比在FLASH中刷屏慢了好几倍。
（2）、在FLASH中运行NAND FLASH的yaffs2文件系统正常工作，在SDRAM中就成了问题，没有挂载完成。这个尚没有调试查找问题。但是执行NAND的底层测试程序知道底层函数没有问题。
（3）、SD卡底层发送接收数据在SDRAM中都出现错误中断，或RX Overrun，或TX underrun，这是20MHZ的情况，只有将SD卡的SD模式调低为1MHZ速度才没有发生错误。
在SDRAM中运行的程序不应该是速度更快吗?为何会出现速度变慢的问题呢。请教各位大神有何看法啊！求帮忙！求指导！
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6条回答
yy5223536
2019-03-26 10:31
本人使用芯片为LPC1788，开发工具是MDK，使用ULINK调试工具（SDRAM起始地址为0xA0000000）
在经过一些努力，终于可以实现应用程序跳转到SDRAM中运行，但是不加中断的情况下，程序可以正常运行！一旦加入中断，程序无法进入中断
    中断向量表我是这样写的：（中断向量表想映射到SRAM里，原因是由于只支持1G空间的映射）
volatile u8 int_vector_table[64] __attribute__((at(0x10000000)));
void init_interrupt_controller(void)
{
volatile const u8 *org_table = (u8*)0xA0000000;
int i;

for(i=0;i<128;i++)
{
int_vector_table[i]=org_table[i];
}
}
init_interrupt_controller();
SCB->VTOR = 0x10000000;
做了一些实验，调试中memory中 显示0xA0000000和0x10000000内容一致
期望大神的帮助和解答

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