使用LPC1788,APP运行在SDRAM地址0XA0000000处,感觉程序执行速度明显变慢了。APP应用程序原本在FLASH地址为0X2000处执行没有问题的。
(1)、BootLoader基本情况,使用CPUCLK=120MHZ,EMCCLK=60MHZ,PCLK=60MHZ,跳转到SDRAM中执行APP,中断向量表存放在SRAM。
(2)、APP基本情况,使用CPUCLK=120MHZ,EMCCLK=60MHZ,PCLK=60MHZ,TFT显示,NAND使用Yaffs2文件系统,SD卡使用FATFS文件系统。
遇到问题:
(1)、TFT显示刷屏明显变慢。同样的APP程序,SDRAM中刷屏速度比在FLASH中刷屏慢了好几倍。
(2)、在FLASH中运行NAND FLASH的yaffs2文件系统正常工作,在SDRAM中就成了问题,没有挂载完成。这个尚没有调试查找问题。但是执行NAND的底层测试程序知道底层函数没有问题。
(3)、SD卡底层发送接收数据在SDRAM中都出现错误中断,或RX Overrun,或TX underrun,这是20MHZ的情况,只有将SD卡的SD模式调低为1MHZ速度才没有发生错误。
在SDRAM中运行的程序不应该是速度更快吗?为何会出现速度变慢的问题呢。请教各位大神有何看法啊!求帮忙!求指导!
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小平头技术问答
为什么是U8格式 定义64个字节 for循环里面却是128个字节循环,不是有问题么?
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