【不懂就问】
看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计
这是一段原话
“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通
原因是，当逆变器的上管导通时，下管的电压会以较高的dv/dt上升，IGBT的反向传输电容与输入电容之比增加
会增加米勒效应，噪声会从集电极耦合到栅极，此操作会在下管栅极引入电流，会使下管误导通”

【1】自己查了一下米勒效应，是说在反相放大电路中，输入输出之间的分布电容或者寄生电容由于放大器的方法作用，
其等效到输入端的电容值会扩大1+k倍，k是增益。那么米勒效应和上面说的IGBT的正方向电容怎么联系上？
【2】位移电流是如何而来，因为突然说到位移电流，有点懵？
【3】上管导通时，为什么下管的dv/dt会变高，下管不是关闭的吗？
【4】电容比增加，噪声从集电极耦合到栅极？电容不是去耦吗？