boost电路尖峰问题

2019-03-26 20:14发布

站内问答 / 电源技术
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本人在做有关boost电路的仿真，24V升到100V，IGBT刚导通的瞬间会有一个电压冲击，能达到500V，请问这个电压尖峰如何抑制，求高手指点！！！ 此帖出自小平头技术问答
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6条回答
LeoMe
2019-03-27 08:41
这个好像叫过冲
不知道你的MOS（IGBT）的开关速度能不能调整，如果可以调整的话试着减慢MOS的开启速度，就是让第二张图电压上升的速度减慢，波形减缓，IGBT不太了解，如果换成MOS，看到过冲我可能会试着增大栅极电阻，在效率和发热允许的情况下减慢MOS开启的速度
MOS开关速度慢，则发热大，效率低，但是过冲少，EMI表现比较好
MOS开关速度快，发热小，效率相对会高一点，但是会出现明显的过冲，EMI严重一些
以上一点拙见

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