这两天,我手上拿到了一颗
STM32F103VGT6的
芯片,芯片的FLASH容量是1M字节。
在做调用STM32 闪存擦除指令时发现一个问题:
擦到0x808 0000时,会自动跳转到0x800 0000地址,觉得很奇怪。
也看了STM32的FLASH闪存编程手册,没有提到1024K大容量的信息,最多是512K的。
验证代码:
void EraseFPoApp(void)
{
u32 u32PageAdd=0;
FLASH_Unlock();
u32PageAdd = 0x8064000;
FLASH_ErasePage(u32PageAdd);
FLASH_Lock();
} 没问题,可以擦除这页的内容。
但是:
void EraseFPoApp(void)
{
u32 u32PageAdd=0;
FLASH_Unlock();
u32PageAdd = 0x8080000;
FLASH_ErasePage(u32PageAdd);
FLASH_Lock();
} 擦除的确是0x800 0000的内容。不知道为什么。
不知道有没有大神遇到过这类情况。还是本身,STM32就有针对VGT6的这个BUG存在。
你确认下你的代码,估计你给的是BANK2的地址,操作的却是BANK1的 FLASH寄存器,二者是
不一样的。
标准库函数里用到一个宏STM32F10X_XL来区分不同的函数实现。
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