本帖最后由 moyanming2013 于 2017-8-25 20:50 编辑

你也看到了，是在写/擦除（不是读）期间不能从flash读，执行完写/擦除以及平时代码执行时都是在读flash，所以没问题。

当正在执行写/擦除过程时，尝试对flash的读（比如中断来了CPU想尝试通过NVIC执行ISR时）会被阻塞，此时对代码的读取会阻塞，如果阻塞明显你会感觉到“卡”。除非把代码复制到RAM（编译前配置代码的位置到RAM空间）。但一般不会配置代码从RAM执行，此时代码的执行是在CPU内部，跟RAM无关。
如下图是典型的STM32 MCU系统架构内的flash接口连接图，指令总线直接从flash读取指令，一般不会把指令从flash搬到RAM，再从RAM搬到CPU进而再执行的（多此一举）。

楼主，你每次写内部flash数据量都很大（也就是时间会比较长）吗？如果比较大，比如好几个扇区，或许此时会对中断等产生影响。比如可以尝试在写之前暂时关闭中断。