品牌：美国赛普拉斯（Cypress）
型号：CYK512K16SCCA
特性：
◆先进的低功耗 MoBL（More Battery Life）架构。
◆高速运作性：55nS、70nS（奈秒）。
◆宽裕的运作电压范畴：2.7∼3.3V。
◆运作中的耗用电流（典型值）：2mA（工作频率为 1MHz 时）。
◆运作中的耗用电流（典型值）：11mA（工作频率为最高频率时）。
◆待备（Stand-by）时低功耗。
◆芯片未被选择到时自动进入低功耗（Power-Down）状态。
◆适合手机之类的手持式应用。 德国奇梦达（Qimonda）－HYE18P128160AF-12.5
◆1.8V 的核心电压与 I/O 电压。
◆合乎 CellularRAM 1.0、1.5 规范的标准。
◆针对无线应用而设计。
◆可用「异步/分页模式」或「同步爆发」模式运作。
◆异步工作时的存取间隔为 70nS/85nS。
◆同步爆发（Sync burst）模式运作时可达 66MHz/80MHz/104MHz。
◆免刷新（Refresh）的运作。
◆直接在芯片上设置温度传感器。



品牌：美国美光（Micron）
型号：MT45W8MW16BGX
特性：
◆合乎 CellularRAM 1.5 规范的标准
◆支持异步、分页、以及爆发等模式的运作
◆随机存取时间：70nS
◆合乎欧洲 RoHS 规范与大陆 RoHS 规范
◆核心电压工作范畴：1.7V∼1.95V
◆I/O 电压工作范畴：1.7V∼3.3V
◆适合的应用：医疗、商业与产业、车用、安全、行动、扫描仪
◆适合的应用：导航定位、测试与量测、消费性手持式装置、电信

品牌：台湾钰创（Etron）
型号：EM567168BC
特性;
◆记忆组织：2M x16。
◆快速的周期时间：55nS、70nS。
◆待备（Stand-by）状态下的用电：100uA。
◆深度低功耗（Deep Power-Down）下的用电：10uA（数据不可存取）。
◆数据存取宽度的控制：LB#（DQ0∼7）、UB#（DQ8∼15）。
◆相容于低功耗的 SRAM（Low Power SRAM）。
◆单一的供电电压：3.0V 正负 0.3V。
◆封装型态：48 个接脚，FBGA 封装，6x8mm 尺寸。

品牌：韩国JSC
型号：EM7164SU16
特性：
◆记忆组织：1M x16。
◆工作电压范畴：2.7V∼3.3V。
◆分立的 I/O 供电（VccQ）与核心供电（Vcc）。
◆三态输出（高、低、浮接）。
◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节（Byte）的读写。
◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗（Direct Power Down）控制。
◆自动化的 TCSR 可节省用电。
◆芯片封装方式：48 个接脚，FPBGA 封装，6.0x7.0 尺寸。


品牌：南韩海力士（Hynix）
型号;HY64UD16322M
特性:
◆记忆组织：2M x16。
◆CMOS 制程技术。
◆逻辑准位兼容于 TTL，并具备三态（Tri-State）输出。
◆深度低功耗（Deep Power-Down）模式。
◆标准的接脚组态配置：48 个接脚，FBGA 封装。
◆透过/LB、/UB 接脚可行使数据屏蔽（Data Mask）功效。
◆工作电压范畴：2.7V∼3.3V。
◆工作温度范畴：摄氏-25∼85 或-40∼85 度。 南韩 Silicon 7－SV6P3215UFB
◆标准的异步 SRAM 接口。
◆已历验证的 Silicon CompactCell SRAM 可用于高密度、低功耗与成本取向的应用。
◆记忆组织：2M x16。
◆工作电压范畴：2.7V∼3.3V。
◆封装方式：48 个接脚，FPGA 封装。
◆逻辑准位兼容于 TTL，并具备三态（Tri-State）输出。
◆适合的应用：手机、PDA、以及其它用电池运用的消费性产品。
◆运作上可选择正常（Normal）模式或双 CS（Dual CS）模式。


品牌：南韩三星半导体（Samsung）
型号：K1S56161CM
特性：
◆使用 CMOS 制程技术。
◆记忆组织：16M x16。
◆内部的 TCSR。
◆工作电压范畴：2.7V∼3.1V。
◆存取间隔速度：70nS。
◆工作温度范畴：摄氏-40∼85 度。
◆100%回溯兼容于 SRAM 接口。
◆支持分页（Page）模式。