430单片机，一般具有内部的信息区，以便保存一些需要EEPROM才可保存的数据。
在论坛没有收到相关信息，就借用网上的，抛砖引玉，如果有什么问题，多多指正，一起掌握！
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节，其他段有512字节。SegmentB的地址是：0x1000到0x107F，SegmentA的地址是：0x1080到0x10FF。其他段的地址根据容量不同，从0xFFFF开始，每512字节为一段进行分配。
   FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。
运行代码 复制代码

void flash_clr(int *ptr)  
{  
    _DINT();                            //关中断  
    FCTL3 = 0x0A500;              //* Lock = 0 开锁  
    FCTL1 = 0x0A502;              //* Erase = 1 使能擦除  
    *((int *) ptr) = 0;           //* 擦除段  
}  

FLASH存储器可以按字节写入，也可以按字写入。  
    // 字节写入  
void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)  
{  
    _DINT();  
    FCTL3 = 0x0A500;          // Lock = 0 开锁  
    FCTL1 = 0x0A540;          // Write = 1使能写入  
    *((int8_t *) ptr) = value;       // 写入数据  
}  
    // 字写入  
void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)  
{  
    _DINT();  
    FCTL3 = 0x0A500;              /* Lock = 0 */  
    FCTL1 = 0x0A540;              /* Write = 1 */  
    *((int16_t *) ptr) = value;       /* Program the flash */  
}  
   FLASH存储器可以连续写入  
   // 按字节写入指定的数量的数据  
void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)  
{  
    _DINT();  
    FCTL3 = 0x0A500;              /* Lock = 0 */  
    FCTL1 = 0x0A540;              /* Write = 1 */  
    while (len)  
    {  
     *ptr++ = *from++;  
     len--;  
    }  
}  

    在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中，例如：  
typedef struct Setup  
{  
    float gain_ch0;       // 0通道增益  
    float gain_ch1;       // 1通道增益  
    float gain_ch2;       // 2通道增益  
    …  
    char init_flag;         //初始化标记，恒为0xAA;  
}SETUP;  


我们定义了一个SETUP结构，存放三个AD通道的增益，以及其他要掉电保存的信息，init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化，当我们设置了FLASH参数后，将init_flag置一个固定值，例如设为0xAAh，在程序开始运行时，检查init_flag，当init_flag的值为0xAAh时，表明参数已被初始化。
使用FLASH参数：在程序中定义一个SETUP类型的指针变量，通过这个指针访问FLASH中的参数。例如：
运行代码 复制代码

#define SegmentA   0x1080  
float   temp;  
SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA  

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)  
{  
  temp = p_setup_flash->gain_ch0;  
}  

   修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一样直接修改，可以将FLASH信息拷贝到RAM中，修改相应参数后，重新保存到FLASH存储器中，之前要先擦除FLASH存储区。例如：
运行代码 复制代码

SETUP *p_setup;  
SETUP   buf;                // 临时变量  
p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH  
memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM  
p_setup = &buf;           // 指向RAM  
p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数  
flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH