HC9S12关于Flash和EEProm的内容

2019-07-15 17:33发布

我的MC9S12XEP100里的prm文件里一共有36K的EEPROM,1K的固定页,35K的非固定页:
1:看数据手册,36K里面应该有32K的D-flash,4K的buffer ram,这两部分都可以分一部分做模拟EEPROM,不知道这个理解正确吗?
2:  在prm文件里,没有定义任何和EEPROM相关的段,就相当于正常程序不会有任何内容装到EEPROM中才对,但是我看程序EEPROM的固定页FF和FE页的memory里都有内容,不知道是装的什么?
3:在p-flash和D-flash的擦写需要一个比较复杂的流程,但是可以使用#pragma CONST_SEG <段名>,将const变量固定在相应的flash区间,达到的效果不是一样的吗,而且更方便快捷~请问二者有什么区别吗?
感谢各位大神赐教~~谢谢~
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