最近在做一个CF卡的设计，碰到一个问题纠结了好几天了，请求论坛的大侠指点迷津，万分感激。

问题描述：CF卡工作于common memory 模式，每次写一个扇区（512B即256次），按word读写；
操作流程为{sector no ，sector count}->{cylinder high,cylinder low}->{command,head}->{status，}->写256次->{status，}.注：{高8位，低8位}

现在遇到的问题是，每写完一个扇区status的最高位（busy）要保持很长一段时间的高电平，这极大的影响了CF卡的写入速度，本人使用的CF卡写入速度测得为2.5MB/s, 理论上128MB的CF卡49秒即可写完，但是我却用了大概3分半钟。下面附上signal tap的波形图，we为写信号，oe为读信号，cfaddr为地址信号。

问题补充说明：
刚开始以为是CF卡的原因，但是换了一块速度更快的CF卡结果还是一样的，我想是不是我哪里疏忽，没有注意到？

任何提示都是对我极大地帮助，先谢谢了。