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对模拟电路不熟悉，请教一下：1，三极管为S8050，目标是用作开关，导通负载，负载是电阻型的，阻值约为32欧姆。
2，控制信号是STM32输出的3.3V PWM。
3，要让三极管饱和,看8050手册上写Vbe(SAT)=0.92~1.2V，但网上搜索了一下，很多帖子是按照Vbe=0.7V来计算的。请问是我的理解偏差了吗？
4，目前暂定R1=1K。要让三极管饱和，同时尽可能减少PWM引脚的功耗，R1应该怎样选择和计算？
谢谢大家！
推荐课程：张飞硬件电路P1训练营（1-5部）http://t.elecfans.com/topic/33.html?elecfans_trackid=bbs_post张飞硬件电路全集训练营（1-10部）http://t.elecfans.com/topic/36.html?elecfans_trackid=bbs_post
2，控制信号是STM32输出的3.3V PWM。
3，要让三极管饱和,看8050手册上写Vbe(SAT)=0.92~1.2V，但网上搜索了一下，很多帖子是按照Vbe=0.7V来计算的。请问是我的理解偏差了吗？
4，目前暂定R1=1K。要让三极管饱和，同时尽可能减少PWM引脚的功耗，R1应该怎样选择和计算？
谢谢大家！
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2. 3. GS 等效为一个电容，在开关过程中，与栅极电阻一起构成一个充放电回路。
栅极电阻的选择主要考虑这个充放电过程，包括但不限于充放电时间、充放电导致的 MOS 管
本身及栅极电阻上所消耗的能量……
在由市电供电、普通的小功率 MOS 开关电路中，充放电过程一般影响不大，按“常规”选择就行。
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