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有源钳位吸收器电路及其数字实现方式有哪些难点?
2019-07-16 08:38
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电路设计
8448
6
921
随着MOSFET击穿电压额定值的增大,导通电阻也会增大。在这样场景中如何消除同步整流器上的电压尖峰和振铃,另外有源-钳位方案优势有哪些?
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6条回答
随行者011011
2019-07-17 00:26
半桥拓扑结构的实验结果
对半桥拓扑结构进行了额外的实验验证,额定输入为48 V,额定输出为9 V、200 W,开关频率为180 kHz。
图14. 有源钳位吸收器禁用
红线:SR1漏极,5 V/div
蓝线:SR2漏极;5 V/div
绿线:吸收器PWM,5 V/div
图15. 有源钳位吸收器使能
红线:SR1漏极,5 V/div
蓝线:SR2漏极;5 V/div
绿线:吸收器PWM,5 V/div
图16. 有源钳位吸收器条件下软启动期间的SR漏极波形
黄线:吸收器FET栅极-源极电压,5 V/div
红线:SR1漏极,10 V/div
蓝线:SR2漏极,10 V/div
绿线:输出电压,2 V/div
图17. 有源钳位吸收器条件下软启动期间的SR漏极波形
黄线:吸收器FET栅极-源极电压,5 V/div
红线:SR1漏极,10 V/div
蓝线:SR2漏极,10 V/div
绿线:输出电压,2 V/div
图18. 短路测试过程中的SR漏极电压
黄线:负载电流,5 A/div
红线:SR1漏极,10 V/div
蓝线:SR2漏极,10 V/div
绿线:输出电压,2 V/div
布局考虑
图8所示为上述半桥拓扑结构的布局。关键点是通过缩短环路或将其限制在较窄区域,减小钳位环路的寄生电感。否则会降低钳位的有效性,并在钳位周期内导致高频振铃。
图19. 有源钳位吸收器布局
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对半桥拓扑结构进行了额外的实验验证,额定输入为48 V,额定输出为9 V、200 W,开关频率为180 kHz。
图14. 有源钳位吸收器禁用
红线:SR1漏极,5 V/div
蓝线:SR2漏极;5 V/div
绿线:吸收器PWM,5 V/div
图15. 有源钳位吸收器使能
红线:SR1漏极,5 V/div
蓝线:SR2漏极;5 V/div
绿线:吸收器PWM,5 V/div
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红线:SR1漏极,10 V/div
蓝线:SR2漏极,10 V/div
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绿线:输出电压,2 V/div
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红线:SR1漏极,10 V/div
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