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想问一下这两个电路的工作原理，其中Vgs两端一直有导通电压在。希望大神们能解答一下
1.这个电路mos使用的diodes的DMG3420 另外C13的容值不能太小，不然平波效果不好，R1使用1M，ZD3保护器件 至于稳压管ZD1的稳压值，一般是等于0.5W/Iout, 0.5W是这个DMG3420的最大耗散功率，稳压管越小，损耗功率越低,另外ZD1的稳压值越大，吃的效率越大，平波程度越深
2.这个电路是增加了G极到LED-的电解，平波效果会大大增加，另外R3，我自己理解是保护MOS用，ZD3保护器件另外C1容量减小，但是不可以拿掉，不然辐射测试在220M位置会凸起
1.这个电路mos使用的diodes的DMG3420 另外C13的容值不能太小，不然平波效果不好，R1使用1M，ZD3保护器件 至于稳压管ZD1的稳压值，一般是等于0.5W/Iout, 0.5W是这个DMG3420的最大耗散功率，稳压管越小，损耗功率越低,另外ZD1的稳压值越大，吃的效率越大，平波程度越深
2.这个电路是增加了G极到LED-的电解，平波效果会大大增加，另外R3，我自己理解是保护MOS用，ZD3保护器件另外C1容量减小，但是不可以拿掉，不然辐射测试在220M位置会凸起
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输入电压经过R1/R2分别给MOS栅极上的电容(C2/C1/C13)充电，当电压充到MOS开启的时候，漏极有电流向负载端输送；当输入电压继续增大的时候，R1/R2上的电流也增加，使得MOS漏极电流继续增大；由于R1/R2上的电流需要给C1/C2/C13充电，所以，MOS的漏极电流不能突变，这样，输出电流也不会突变，输出纹波减小……
D1和D4作为钳位二极管，将MOS的源漏极电压钳位在8.5V左右，所以，该电路的输出电流不宜过大，否则，MOS上的损耗特别大。
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