MOS管的开关速度，主要是由栅极电压给栅源极电容进行充电速度决定的，虽说是压控的，串进去的电阻会限制电流的大小，进而限制了对电容的充电速度，表现出来的结果就是漏源极之间的打开时上升的时间变长，这个要根据开关频率计EMI上去考虑选取多大的R，同样的条件下，上升时间变长，会对开关频率有一定的影响，但是会减小EMI，需要综合考虑。IGBT思考思路与MOS管一致，仅供参考。