分立的MOS管如何实现让Ids相对Vgs线性增加?

2019-07-16 11:01发布

输入端峰峰值最大10V正弦波信号。想通过分立的MOS管,实现让Ids相对Vgs线性增加的。Ids可在2mA~20mA变化.通过观察NMOS的 Id-Vgs关系图,不可能实现线性变化的.请问有没有什么管子可以实现线性变化?谢谢!
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