我本来是用mosfet做D类放大的。但是现在用的mosfet的Qg有2.5nC 。已经很小了，但理论上算出来的驱动损耗有500mw。我实际做出来的有1W，管子严重发热。我测试发现，驱动损耗从500kHz开始就已经是主要的损耗了，到20Mhz的时候，损耗已经超过管子的耐受值，管子差点烧掉了。我现在又准备测试我能只找到的最小Qg的mosfet（0.67nC）。现在公式算下来就有134mW。按上一个管子的经验，光驱动损耗就可能有300mW以上。即使能勉强运行，管子的效率也是极低的。三极管是老师推荐我用的，但我现在感觉三极管没法用于高频开关状态。