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电路设计
场效应管的关断问题
2019-07-16 11:50
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电路设计
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场效应管si2301(p沟道)栅极D1接
单片机
引脚,
电源
接源极(s),输出端漏极(d)接一个DCDC然后接负载。问题是,单片机引脚低电平时,输出端(d)确实为高电压,但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v,并没有完全关断。这是场效应管的原因还是
电路
的设计问题?怎么让场效应管完全关断呢?
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19条回答
JQ_Lin
2019-07-16 16:00
必须指出的一点是,电路设计不是像你那样玩的 —— 开关元件拿过来,三条腿连上线就想干活。
控制信号、逻辑相位、驱动电路和元器件选择等等,都需要考虑周全。
PMOS管作为电源开关,开通时,在额定带载情况下,输出端电压要尽可能接近输入电压,即要求MOS管的通态电阻尽可能小。
而关断时,要求断态漏电流要尽可能小,亦即MOS管关断后所呈现的等效电阻尽可能大。
这两项要求除了同MOS管的先天具有的特性有关以外,还同设计者后天给定的栅源状态密切相关。
因为通常负载电阻比较MOS管的断态电阻而言,微乎其微,所以负载电阻的变动几乎完全不改变负载中漏电流的大小。
MOS管关断状态下负载端的残余电压就等于漏电流和负载电阻的乘积。
仿真中采用了两种不同的PMOS管,以体现不同通态电阻和不同断态漏电流的影响。
仅供参考。
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控制信号、逻辑相位、驱动电路和元器件选择等等,都需要考虑周全。
PMOS管作为电源开关,开通时,在额定带载情况下,输出端电压要尽可能接近输入电压,即要求MOS管的通态电阻尽可能小。
而关断时,要求断态漏电流要尽可能小,亦即MOS管关断后所呈现的等效电阻尽可能大。
这两项要求除了同MOS管的先天具有的特性有关以外,还同设计者后天给定的栅源状态密切相关。
因为通常负载电阻比较MOS管的断态电阻而言,微乎其微,所以负载电阻的变动几乎完全不改变负载中漏电流的大小。
MOS管关断状态下负载端的残余电压就等于漏电流和负载电阻的乘积。
仿真中采用了两种不同的PMOS管,以体现不同通态电阻和不同断态漏电流的影响。
仅供参考。
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