分析双N沟道mos buck电路上电烧mos的原因

2019-07-16 13:19发布

大家好,在此发帖请教个问题,48V转13V非隔离buck直流电路。现在设定好25A负载后上电测试会出现板子上其中一个mos烧坏的现象,把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V,低于手册标注的最高80V,栅极开启电压15V,低于手册标注的最高25V,mos开关的时间(上升沿和下降沿)够短,产品有限流保护,30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析??谢谢了。

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10条回答
bleupealike
2019-07-17 23:58
如果你换了一个MOS就好了,不再出问题,那么,原因无非2个
1、管子采购不对,参数不合格。当然换个合格的就挺过去了。
2、参数设置不合理,实际承受数据超过采购管子正常水平,在换一个,参数其实比坏的那个好点,也就好了。
一般来说,正品管子,参数离散性不大,换一个就好,第一种原因可能性比较大。
对于线路,有一个疑问就是对于你这样大电流的应用,貌似384X系列的驱动目标MOS管能力有点不够。可能这也会是造成损坏的一个可能性。

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