本帖最后由 tiangexiao 于 2017-11-8 18:59 编辑

king飞 发表于 2017-11-8 17:51
nMOS和整流二极管 峰值nMOS漏极电流是两个电感峰值电流之和： InMOSPEAK = ILpPEAK + ILsPEAK  而最大的漏源电压等于： VnMOSDSMAX = VINMAX + VD + VOUT  流过整流二极管的平均电流与输出电流一致，最大反向电压等于： VDREVMAX = VINMAX + VOUT  根据上面的公式选择两个功率器件的额定值
...

输入最大24V，输出10V，最大34V；输入电流最大2A，输出电流最大1A，总共3A。
nMOS：FDMC86183：100V47V  VGSth_max=4V
           FDMC8462：20A40V     VGSth_max=3V
           FDS5670：  10A60V     VGSth_max=4V
实验时输入电压为5-15V试了一下，实际电压和最大25V，使用FDMC86183后，输出10V，但效率70%（不知原因）；FDS5670为官网参考设计，输入12V，输出5V2A，效率最大83%；使用FDMC8462，只有输入5V左右时可输出10V,其他输入条件下，输出0V，输入5V时效率大约80%。