电路设计

两个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用，总是烧MOSFET，求教

2019-07-16 14:40发布

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本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑

如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池48V的，驱动信号开通MOSFET电压Vgs=20V，关断电压Vgs=-4V，为何会烧MOSFET，而且烧了两次都是电流流经的第一个管子，还请经验丰富的工程师不吝赐教。下图是实物接线图

2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用 2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用
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19条回答
暗星归来
2019-07-16 23:42
只看今朝 发表于 2016-9-6 20:47
先不管驱动做得怎样，MOS管的100V电压余量本来就很小了，就算没有噪声Q１４的VDS已经达到了96V左右。你能保证不过电压吗？

我用万用表量测的，在栅极-源极电压为负压状态下，开关电源负极到电池负极的电压只有50V，你说的Q14的Vds达到96V是怎么来的？不明白，还请赐教

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