电路设计

两个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用，总是烧MOSFET，求教

2019-07-16 14:40发布

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本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑

如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池48V的，驱动信号开通MOSFET电压Vgs=20V，关断电压Vgs=-4V，为何会烧MOSFET，而且烧了两次都是电流流经的第一个管子，还请经验丰富的工程师不吝赐教。下图是实物接线图

2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用 2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用
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19条回答
人在塔在
2019-07-17 08:31
暗星归来 发表于 2016-9-7 14:57
可以关断的，栅源电压的供电电源和电池是隔离的

还有个二极管呀，只要源源极电压高于漏极。。就会导通的。。

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