ygao 发表于 2013-3-26 19:52
Q9是NMOS高电平闭合，低电平打开。
不知道你做了样本电路没有，当NMOS闭合，会有大电流流过LED和线圈还有NM ...

嗯，那个IRF830的资料我搜过，就是用Vgs的电压控制漏极电流，最小导通压降是2V（用proteus仿真过），我就是在考虑作者这个降压电路怎么实现的，关键还有那个330UH的电感，只是普通的电感是不起任何作用，而且还会出现你说的那种电流过大烧坏D8。根据资料D8的额定电流是350ma，额定功率是1W，即它的R=1/(0.35^2)=8.16欧。IFR830的导通电阻是1.5欧，随着Vgs的电压增大，导通电阻会减小，漏极电流增大，从而使流过D8的电流逐渐增大，进而使D8的亮度增加，当然这其中有一点就是那个电感是有压降的，也就是说当PWM输出5V时，流过D8，L1，Q9的电流达到最大的350ma,D8两端的电压在3.26V左右，Q的压降是0.45V左右，剩下的就全在L1上了。（这是经过仿真得到的数据，只能选取能承受压降的电感，才不至于电路的电流过大）
    关于那个AD1是接在单片机上ADC转换接口上的，用的芯片是STC12C5A60S2，这个芯片自带两路PWM输出，和几个AD转换，所以不用另外搭接你说的采样电路。他是想通过AD实现闭环控制，我本人也不是很清楚，估计就是通过AD转换得到数据判断是否达到恒流状态。
   我再把我自己弄的仿真图献上，希望更多的老师给予指点。