是不是理解错负载电容的意义了？

每个晶振都有负载电容这个参数，32768晶振一般都比较小。

C1电容是IC生产中引入的，当芯片确定时这些数值就已经确定。△C是布局布线引入的电容。  每个晶振xtal都有要求的负载电容才能实现精确的震荡频率，由上图可知，由于IC以及布局布线，已经引入了C1和△C，其实还引入了其他寄生电容，比如Cic，但是这些寄生电容比较小，因此忽略不计。为了使内部集成电容C1和外部电容构成电容三点谐振电路，需要在外部OSCI与地之间接入一个外接电容C。一旦接入C2，则C1，C2，△C，xtal构成电容三点式谐振回路，此时C1，C2，△C需要满足xtal的负载电容要求，即C1*C2/(C1+C2)+△C要满足xtal的负载电容要求。当布局布线确定，电容△C已知，芯片确定，C1已知（在一个范围内，典型值25pf，最小15pf，最大35pf），xtal确定，需要的负载电容已知时，就可以计算出外接电容数值大小。



上面这个是官方的解释，在我看来，一般在芯片外面也会画C1和C2的，而且一般人把C1C2设置成一样大小。然后，在某些芯片内部是让配置电容大小的，比如MSP430x2里就有这个项目，配置的这个很像那个△C。


既然晶振的负载电容是固定的（采购元件的时候就决定了），△C是可以配置的，那么外部C1和C2就好算多了。负载电容=C1*C2/(C1+C2)+△C，如果C1=C2=C，那么C=（负载电容-△C）*2。


印象中见过的32768晶振负载电容一般是12.5pF的，我一般情况下用这种晶振的时候都不焊接C1和C2，而是在内部直接将△C配置成12.5pF。