chenwei6991627 发表于 2017-8-11 10:30
在低频条件下，这个电阻有点安慰性质，不接也罢。但在高频时，情况就变了，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通, ...

先谢谢你的回复，指导的很细致
但是还有几点没有看懂和追问，如下

1：在高频时，MOS的输入阻抗降低，是根据R=1/jwc算的吗？MOS管显容性特征？
2：某个频段变成负阻，什么事负阻？
3：一直没有很好的理解发生震荡是什么意思？
4：控制脉宽前后陡峭度为什么要改变，不都是直上直下吗？
5：Rg 减小时，di/dt 增高,可能产生误导通，经常可以看到di/dt ，这个是什么指标或者作用
    记得u=L*di/dt，不知道和这个有关吗？
6：di/dt增高，会有误道通，是不是因为u=L*di/dt，U会变大，导致U大于Ugs而误导通？

麻烦你指点一下这些问题！