注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． 
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。 
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的 
⑥ RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；R值越大，MOS功率管有可能被  
击穿。
1.测量变压器的初级漏感Lik
初级绕组的漏感量可以通过测试来获得，常用方法是，短路各个次级绕组测试此时的初级绕组的感量，这个值就是初级绕组的漏感量。需要注意的是，测试频率应采用变换器的工作频率。 
当然，批量生产时不可能采取逐个测试的方法，这时，可确定一个百分比来估计整个批次的漏感值，这个百分比通常是在1%--5%
2.确定设计的电源的开关频率fs
3.确定正确的峰值初级电流IP
4.确定初级MOSFET 所允许的总电压，并根据以下公式计算
V maxclamp =  -  *
（注释：建议至少应维持低于 MOSFET 的20%的电压裕量，以满足瞬态电压要求。对于通用输入设计，建议V maxclamp < 200 V 。V maxclamp不应小于约 1.5*VOR 。）  
5.确定箝位电路的电压纹波Vdelta
（注释：建议典型值应为 Vmaxclamp的10% 。）
6.根据以下公式计算箝位电路的最小电压：  
V minclamp = V maxclamp - V delta
7.根据以下公式计算箝位电路的平均电压Vclamp：  
V clamp = V maxclamp - V delta/2
8.根据以下公式计算漏感中贮存的能量：
  = *LIK*
9.根据以下公式估算箝位中的能量耗散E clamp：
1.5W ≤ POUT ≤ 50W     E clamp = 0.8*
50W ≤ POUT ≤ 90W      E clamp =
90W  < POUT              E clamp = *（）
（注释：连续输出功率< 1.5 W的电源通常不要求使用箝位电路。）
（注释：并非所有的漏感能量都会转移到箝位。因此，在计算箝位所消耗的真实能量时，应使用以上公式并将峰值初级电流IP替代为仅流入箝位的电流IC。由于IC难以计算或测量，我们将根据已知的比例因数调整E LL，从而估算出箝位中耗散的能量：Eclamp。）
10.根据以下公式计算箝位电阻值：
Rclamp =
（注释：这里计算出的 Rclamp 值是第一近似值。在电源制作完成后，应用示波器测量峰值电压 V clamp，然后将其与这里所使用的值进行比较。如果测量值低于预期值，应增大 Rclamp 的值，直到测量值与这些计算结果相符。如果测量值高于预期值，应减小 Rclamp 的值。）
11.箝位电阻的功率额定值应大于：

   12.根据以下公式计算箝位电容值：
   Cclamp =
   13.箝位电容的电压额定值应大于：1.5*Vmaxclamp
   14.根据以下公式指定TVS 击穿电压的近似值：VZ = Vmaxclamp + 20 V
（注释：由于齐纳二极管在导通时无法承受器件中的瞬时峰值功耗，因此必须使用一个TVS 。）
   15.TVS的功率额定值大小应能够处理在正常工作及过载条件下所贮存能量的差异。
   PTVS > *LIK**fs
   16.应使用快速或超快恢复二极管，将其用作箝位电路中的阻断二极管。
（注释：在有些情况下，使用标准恢复二极管有助于提高电源效率及 EMI 性能。用作此用途的标准恢复二极管必须列明指定的反向恢复时间。使用这种二极管时应特别注意，确保其反向恢复时间低于可接受的限值。如果未经全面评估，不建议批准基于标准恢复二极管的设计。）  
   17.  阻断二极管的峰值反向电压值应大于：1.5*Vmaxclamp
18.  阻断二极管的正向反复峰值电流额定值应大于IP ，如果数据手册中未提供该参数，则平均正向电流额定值应大于：0.5*IP
（注释：二极管的平均正向电流额定值可指定为较低值，它主要受热性能的约束。应在稳态工作期间及最低输入电压条件下测量阻断二极管的温度，以确定其额定值是否正确。散热性能、元件方位以及最终
产品外壳都会影响到二极管的工作温度。）