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本帖最后由 langtuodianzi 于 2017-3-27 17:34 编辑
我们都知道过压保护器件是用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏，常用的过压保护器件有压敏电阻、气体放电管、瞬态电压抑制器和半导体放电管等。半导体放电管等。
瞬态电压抑制器选型：
1）关断电压 Vrwm 的选择。一般关断电压至少要比线路最高工作电压高 10%
2）箝位电压 VC 的选择。 VC 是指在 ESD 冲击状态时通过 TVS 的电压，它必须小于被保护电路的能承受的最大瞬态电压
3）浪涌脉冲功率 Pppm 的选择。它反映了TVS器件的浪涌抑制能力
4）极间电容的选择。被保护元器件的工作频率越高，要求 TVS 的电容要越小
压敏电阻产品选型：
根据被保护电源电压选择压敏电阻器的规定电流下的电压V1mA。一般选择原则为：
对于直流回路：V1mA≥2.0VDC
对于交流回路：V1mA≥2.2V有效值特别指出对于压敏电阻压敏电压的选择标准是要高于供电电压，在能够满足可以保护需要保护器件的的同时，尽可能选择压敏电压高的压敏电阻，这样不仅可以保护器件，也能提高压敏电阻的使用寿命。 陶瓷放电管产品选型：
1. 直流击穿电压下限值高于线路的最大正常工作电压。
2. 冲击击穿电压值低于线路上可能出现的最高瞬间过电压。
3. 室外设备选用10KA以上级，室内设备入口选用10KA以下级，设备终端处选用5KA以下级。
4. 根据产品大小，选择适合体积大小的放电管。 半导体放电管选型：
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。2、开关电压Vs必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。3、峰值断态电压必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。4、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
我们都知道过压保护器件是用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏，常用的过压保护器件有压敏电阻、气体放电管、瞬态电压抑制器和半导体放电管等。半导体放电管等。
瞬态电压抑制器选型：
1）关断电压 Vrwm 的选择。一般关断电压至少要比线路最高工作电压高 10%
2）箝位电压 VC 的选择。 VC 是指在 ESD 冲击状态时通过 TVS 的电压，它必须小于被保护电路的能承受的最大瞬态电压
3）浪涌脉冲功率 Pppm 的选择。它反映了TVS器件的浪涌抑制能力
4）极间电容的选择。被保护元器件的工作频率越高，要求 TVS 的电容要越小
压敏电阻产品选型：
对于直流回路：V1mA≥2.0VDC
对于交流回路：V1mA≥2.2V有效值特别指出对于压敏电阻压敏电压的选择标准是要高于供电电压，在能够满足可以保护需要保护器件的的同时，尽可能选择压敏电压高的压敏电阻，这样不仅可以保护器件，也能提高压敏电阻的使用寿命。 陶瓷放电管产品选型：
1. 直流击穿电压下限值高于线路的最大正常工作电压。
2. 冲击击穿电压值低于线路上可能出现的最高瞬间过电压。
3. 室外设备选用10KA以上级，室内设备入口选用10KA以下级，设备终端处选用5KA以下级。
4. 根据产品大小，选择适合体积大小的放电管。 半导体放电管选型：
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