求问：N沟道MOS管导电介质-motofish的回答

求问：N沟道MOS管导电介质

2019-07-17 12:19发布

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RT，最近看模电看迷糊了，在此请教各位大虾，N沟道增强型MOS管，衬底是P型硅片，那么是多子参与导电还是少子呢？是自有电子还是空穴呢？

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1条回答

2019-07-17 13:04

xianyoudian 发表于 2015-3-27 14:20
N沟道是自由电子多

自由电子从哪儿来的呢？P衬底的多子是空穴啊，自由电子是少子。N区的自由电子由于PN结作用应该也跑不出来。