测试MOSFET 发热非常严重

2019-07-17 18:57发布

最近在测一个IGBT驱动光耦,型号为HCPL-3120,他内部可以看成是2颗MOSFET组成的推挽电路
其原理是:当VCC=20V
当输入端LED发光时,上面一颗导通,电压等于电源电压 20V
LED关闭时,上面一颗关闭,下面一颗导通,电压VO=0,

我用万用表测得的现象也与上面的一致,即IF=10mA时VO=20V,IF=0mA时VO=0V。测试图如下。

可是问题来了,保持在IF=10mA一段时间,VO从20V开始下降,很快就降到10来V,此时光耦还严重发热。
还有一个现象是,我把IF=0mA以后,VO的电压不再降为0V,而是3.5V左右。
非常纠结,很明显这一颗被我烧坏了,但一直找不到原因,求大神指导啊。
3120测试.jpg
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