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问题是,即使RMS电流约为200mA,MOSFET
芯片也会明显升温。要驱动的电机是24V 90W BLDC电机,相电阻为0.15欧姆,相间电感为200uH。我选择的MOSFET及其栅极驱动器是
SI4564DY(P + N)和
FAN3278。
如果我错了,请纠正我,但根据数据表,SI4564DY应该在24V VDS下处理高达9A,这对于所用的bldc电机来说已经足够了,而且“连续源极 - 漏极二极管电流”是2.3A ,我认为是RMS值而不是即时值。因此,当RMS驱动电流大约为200mA时,我没想到会变得如此热,15%PWM占空比时的电流峰值可能高达2.3A。甚至
ti的设计也使用类似的MOSFET芯片来处理
24V / 5A bldc电机而不使用散热器。如果我满负荷驱动电机,我想MOSFET芯片会烧坏。所以我的问题是
- 我选择合适的MOSFET驱动24V / 90W电机(相电阻0.15欧姆,相间电感200uH)
- 通常,MOSFET芯片何时需要散热片?我的SI4564DY绰绰有余,不需要散热片,正如TI的例子所示。
- 如果SI4564DY实际上还不够,那么在选择另一个芯片时我应该考虑什么样的电流容量?
- 要驱动24V bldc电机,通常在什么瓦数下我应该考虑使用散热器?
我仍然是处理这种bldc电机控制的新手,希望大师们赐教。
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