判断：
1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 答：正确。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转型为P型半导体。 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答：错误。N型半导体的多子，电子，在没有收到激发的状态下不能变成自由电子。 3、PN结在无光照、无外加电压时、结电流为零。 答：正确。由于扩散作用在空间形成空间电荷区,空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量时 ，结电流为零。 4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答：错误。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过极电极到达集电区形成漂移电流。 5、结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗电层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。 答：正确。当Ugs 1增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，Rgs趋于无穷大。 6、若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。 答：错误。因为在制作MOS管子时，在SiO2中掺入大量正离子，在正离子的作用下，P型衬底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。