微电子及集成电路设计常用问题总结(考研面试向)

2019-04-13 11:16发布

mos管的沟道长度调制效应?


源极导致势垒下降?


衬底电流体效应?


衬底偏执效应?


速度饱和效应?


举例典型的trade off?


mos&bjt的工作曲线?


加法器的类型?


计数器的类型?


阻塞赋值和非阻塞赋值的区别?


前仿真与后仿真区别?


LVS,DRC是做什么的?


锁存器比寄存器省面积,但为什么在IC设计中通常使用寄存器?锁存器比寄存器省面积,为什么IC设计中常用寄存器?


如何产生格雷码,并写出3位的格雷码序列?


mos管的截止频率和沟道长度有什么关系?


什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?


负反馈自激震荡条件,正反馈自激震荡条件,之间的区别?闩锁效应,画图,克服?伪n,传输门,传输管,互补cmos,多米诺,dcvsl,用多少个管子?动态,静态cmos优缺点和区别?组合逻辑和时序逻辑的区别?同步异步区别?考研真题中的简答题?模电与书店的区别?振荡器,文氏桥,组态,原理?时钟布局策略?状态机类型及优缺点?建立时间保持时间?采样保持?mos阈值电压公式?(VSB,体效应,沟长)为什么喜欢数字(模拟)?(模数区别)密勒电容?画简单的单管放大器?数字集成电路与模拟集成电路的区别?本科经历?毕设?和老师方向符合的话会多问倒向器(反相器)?课堂上学过的基本的东西。分频器?英语面试问题:在英语自我介绍时把比较牛的经历说出来,其他时候最好不要太嚣张地提出。家乡?兴趣爱好?本科学校?学过的课?
拉扎维,拉贝圣书再翻一遍。