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2019-04-13 14:08发布

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  字电路按工艺有肖特基双极晶体管和CMOS工艺两种，使用双极晶体管的数字电路称TTL数字电路，如果输出端连接的是TTL数字电路，那么就可以称做是TTL负载，TTL负载阻抗比CMOS电路小很多，并且如入端悬空默认高电平，再就是TTL电平和CMOS电平也有差异。     TTL是由晶体管构成的逻辑电路，这里所谓的TTL信号是一个电平标准。由于器件的电压不同，TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样。 所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平信号来触发它。   从百度百科： TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。  第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃) ，低功耗系列简称LTTL，高速系列简称HTTL。  第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。  第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。  各类TTL门电路的基本性能：  电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类：  门电路  译码器/驱动器  触发器  计数器  移位寄存器  单稳、双稳电路和多谐振荡器  加法器、乘法器  奇偶校验器  码制转换器  线驱动器/线接收器  多路开关  存储器  特性曲线电压传输特性    TTL与非门电压传输特性 LSTTL与非门电压传输特性  瞬态特性由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形如右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。  延迟时间td  下降时间tf  存储时间ts  上升时间tr  基本单元“与非门”常用电路形式  四管单元五管单元六管单元  主要封装形式  双列直插  扁平封装  TTL反相器工作原理，请参照《数字电子技术基础》第四版高等教育出版社，清华大学电子教研室阎石主编的P53页电路图  1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通，这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb2<0.7v，所以T2截止,T3导通，T4截止，Vo输出为高电平。  2、当Vi=Ve1=3.6v 时T1也导通，这时Vb1被临时钳制到3.6v+0.7=4.3v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb2>0.7v，所以T2导通，侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4>0.7v,所以T4导通，由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V，所以T3截止；所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通，并且发射极接地，反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。      

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