转自：https://blog.csdn.net/bmbm546/article/details/10464107 一、低电平有效复位电路 如下： 此复位电路是针对低电平有效复位而言的，其中二极管是起着在断电的情况下能够很快的将电容两端的电压释放掉，为下次上电复位准备。 假设电容两端的初始电压为U0(一般情况下设为0V)，T时刻电容两端电压为UT。3.3V电压设为VCC。 由流经电容的电流I和电容两端的电压变化关系式：I=C*dUt/dt 可以得到：I*dt=C*dU t 两边分别积分可以的得到：I*T=∫(0-1)C*dUt；即I*T=C*Ut−C*U0（其中U0=0V）， 由VCC=UR+UT 可以得到公式：VCC=R1*(C*UT/T)+UT 假设对电容充电至0.9*VCC时完成复位，此时可以得出T=9*RC，T就是所需要的复位时间。 一般芯片的复位时间是给出的，R,C其中可以自己确定一个值，然后再求出另外一个值。 二、高电平有效复位电路 在看看高电平有效复位时的RC电路的复位时间的计算过程：其对应的原理图如下： 假设电容两端的初始电压为U0(一般情况下设为0V)，T时刻电容两端电压为UT。 电容的充电电流为： 同理可以得到在T时刻的流经电阻的电流值为I=C1*VCC/T 电阻两端的电压可定:UR=R1*(C1*UT/T) 所以又：VCC=UR+UC1 在T时刻时电容充电为UT ，若UR≥0.9VCC时，高电平复位有效，则可以有UT=0.1VCC， 故可有：0.9VCC=R1*(C1*0.1*VCC/T),故可以得到：T=(1/9)*R1*C1。 其中T就是所需的复位时间，原理图中的电阻电容确定一个值，便可以求出另一个值了