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尔必达公司的Hitachi, Ltd.,宣布他们已经找到影响dram 单元保存时间(retention time)波动的主要原因--三极管pn结泄漏电流的波动。由于Dram的功耗受保存时间
的影响很大，所以确定影响保存时间的因素，对降低dram功耗非常重要。
一个Dram单元有一个三极管和一个电容构成。dram单元的写操作是通过对电容的充电，来完成，充电是通过 通路状态的三极管完成。然而在保存时间段（retention period）， 三极管是处于断路（off-state）状态。Dram单元的保存时间是受电容的电荷泄漏限制的，电荷泄漏是通过从电容到断路的三极管通道 或/和 pn结发生的/