2017年的9月份我学习了怎么操作SDRAM，然而仅仅过了三个月，现在就忘的一干二净了，又得从头来起。这个元件目前在工作中用不到，所以平时不接触就忘的快了。          这次我再次来操作SDRAM，把学习的经过记录下来，而且写的尽量详细一些。这样下个月、下下个月再要用它的时候，只要翻翻这些笔记就行了吧。   首先要了解的SDRAM的初始化流程：          SDRAM并不是上电后就立即开始读写数据的，它需要按步骤初始化，对存储矩阵进行预充电、刷新并设置模式寄存器。 初始化流程图如下:
该流程的说明如下： a、给SDRAM上电，并提供稳定的时钟，至少100us b、发送“空操作”（NOP）命令 c、发送“预充电”命令，控制所有BANK进行预充电，并等待tRP的时间          tRP表示预充电和其他命令之间的延时 d、发送至少2个“自送刷新”命令，每个命令后需等待tRC时间  tRC表示自送刷新时间 e、发送“加载模式寄存器”命令，配置SDRAM的工作参数，等待tMDR时间          tMDR表示加载模式寄存器命令与行有效或刷新命令之间的延时 f、初始化流程完毕，可以开始读写操作 上面的几个延时时间和具体的SDRAM型号有关，要查询数据手册才能获知。我这里用的SDRAM型号是：IS42-45S16400J
STM32F429的FMC可以直接操作SDRAM，它的库函数有个结构体是专门控制SDRAM的各种时序的，上面讲到的三个延时都包含在里面。它的结构体如下：
1、tMRD：加载模式寄存器命令后的延迟。查询数据手册得知，tMRD的值是2个时钟周期。它的时序图如下：（手册上的图很多，要找tMDR直接看每张时序图的command行有没有LOAD MODE REGISITER，我在第38页找到了这张图）
2、tRC 自动刷新时间          继续翻数据手册，查找这个tRC的值。在PDF里面查找“RC”，然后会看到关于它的介绍和一个表格。这个tRC在55到63ns之间

3、tRP预充电和其他命令之间的延时          在上图中，我们可以看到tRP是15ns          到这里初始化要用到的3个延时时间就搞清楚了。   可是为什么要预充电呢？下面来看一下专业的解释：         SDRAM的寻址具有独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一个Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效(ACTIVE)的行关闭，重新发送行/列地址。Bank关闭当前工作行，准备打开新行的操作就是预充电。          预充电可以通过独立的命令控制，也可以在每次发送读写命令的同时使用“A10”线控制自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作中所有存储阵列进行数据重写，并对行地址进行复位，以准备新行的工作。   那为什么又要“自动刷新”呢？          SDRAM要不断的进行刷新才能保留住数据，因此它是DRAM最重要的操作。预充电是对一个或所有Bank中的工作行的操作，并且不定期；而刷新具有固定的周期，依次对所有的行进行操作，以保证那些久久没被访问的存储单元数据正确。          刷新操作分两种：“自动刷新”和“自我刷新”。发送命令后CKE时钟为有效时（低电平），使用自动刷新操作，否则使用自我刷新操作。          不论使用何种刷新方式，都不需要外部提供地址信息，因为这个是内部操作。                   对于“自动刷新”，SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动地依次生成行地址，每收到一次命令刷新一行。在刷新过程中，所有的Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为N个时钟周期。刷新结束后才可进入正常的工作状态，也就是说在这N个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。一次次的按行刷新，刷新完所有行后，将再一次对第一行重新进行刷新操作，这个对同一行刷新操作的时间间隔，成为SDRAM的刷新周期，通常为64ms。显然，刷新会对SDRAM的性能造成影响，但这是SDRAM的特性决定的，也是SDRAM相对于SRAM取得成本优势的同时所付出的代价。          “自我刷新”则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，也就是说即使外部控制器件不工作了，SDRAM都能自己确保数据正常。在发出“自我刷新”命令后，将CKE置于无效状态（低电平），就进入自我刷新模式。此时不再依靠外部时钟工作，而是根据SDRAM内部的时钟进行刷新操作。在自我刷新期间，除了CKE之外的所有外部信号都是无效的，只有重新使CKE有效才能退出自我刷新模式并进入正常操作状态。