EEPROM是一种非易失性存储器,主要用于存储相对少量的数据,如存储一些系统的配置信息。通过系统的EEPROM控制模块可以轻松的进行EERPOM的存储控制。
要正确使用EPPROM需要配置掉电寄存器EEPWRDWN确定EEPROM的工作模式,配置EEPROM时钟分频器寄存器,使EPPROM工作在375KHZ。下面对EPPROM的读和写数据进行介绍。
EEPROM存储器的访问有三种操作方式:读、写、擦除/编程。对EPPROM中写数据分成两个单独的操作:写和擦除/编程。第一步写操作并不是真正把数据写入EPPROM的存储介质中,而只是更新被称作“页寄存器”的临时数据寄存器。只有执行下一步”擦除/编程“操作才会真正地更新非易失存储器。LPC1788共有4K的片内EPPROM,其中EPPROM的每一页等于页寄存器大小为64Byte,总共有64页。大小正好是64*64=4096Byte=4K。首先我们指定的位数,如8、16或者32位,将数据写入页寄存器,页内的地址偏移由EEPROM地址寄存器的第6位决定。如果需要往页寄存器写入一串数据,写完第一个数据后,页内的偏移地址会自动增加,我们只需把要操作的下一个数据填入EEPROM写数据寄存器即可。当页寄存器的64个字节被写满,必须进行编程操作,将数据写入到EEPROM的存储介质。然后更新页寄存器的偏移地址。
对于EEPROM的读操作,首先要向地址寄存器写入一个12位的地址,高6位为页的偏移,即我们需要读哪个页寄存器。低6位为页内的偏移,即我们需要读当前页的哪个字节。读操作也可以自动的对地址寄存器做后递增,这样就可以对EEPROM存储器进行连续的操作而无需每次读数据都写入一个新地址。
下面的程序将信息写入EEPROM后读出通过串口打印显示#include "LPC1788_REG.h"
#include "uart.h"
#define rEECMD (*(volatile unsigned*)(0x00200080))
#define rEEADDR (*(volatile unsigned*)(0x00200084))
#define rEEWDATA (*(volatile unsigned*)(0x00200088))
#define rEERDATA (*(volatile unsigned*)(0x0020008C))
#define rEEWSTATE (*(volatile unsigned*)(0x00200090))
#define rEECLKDIV (*(volatile unsigned*)(0x00200094))
#define rEEPWRDWN (*(volatile unsigned*)(0x00200098))
#define rEEINTEN (*(volatile unsigned*)(0x00200FE4))
#define rEEINTCLR (*(volatile unsigned*)(0x00200FD8))
#define rEEINTSET (*(volatile unsigned*)(0x00200FDC))
#define rEEINTSTAT (*(volatile unsigned*)(0x00200FE0))
#define rEEINTSTATCLR (*(volatile unsigned*)(0x00200FE8))
#define rEEINTSTATSET (*(volatile unsigned*)(0x00200FEC))
#define EEPROM_PAGE_SIZE 64
void Init_EEPROM(void);
void Write_EEPROM(unsigned char page_num, unsigned char page_offset, char* data, unsigned int count);
void Read_EEPROM(unsigned char page_num, unsigned char page_offset, char* data, unsigned int count);
char read_buffer[];
char write_buffer[] = {"
- Name: Nuncle.lee
- QQ: 23610603
- Email: nuncle.lee@gmail.com
"};
int main(void)
{
Init_Uart2();
Init_EEPROM();
Write_EEPROM(0, 0, write_buffer, sizeof(write_buffer));
Write_EEPROM(sizeof(write_buffer)/64, sizeof(write_buffer)%64, '