LPC1788FBD208笔记（002）：SDRAM实验

平台：
MCU————— LPC1788FBD208
SDRAM———— IS42S16160D
XTAL ———— 12.0000M IS42S16160D挂到LPC1788的EMC_DYCS0，即起始地址为0xA0000000，IS42S16160D大小是256MBit，因此SIZE是0x02000000。 实验依然是依托NXP官方发布的固件库。不过官方的例程用的是K4S561632J和MT48LC8M32LFB5这两种SDRAM，和我现在手头的IS42S16160D都不一样，要做些修改。IS42S16160D和K4S561632J类似，但是用K4S561632J的例程不能正常初始化IS42S16160D。折腾了一晚上，才发现模式寄存器的写法不一样。 参照http://hi.baidu.com/chinleo/blog/item/1df78eefdf4a2f26acafd5ca.html，SDRAM初始化流程里尤其要注意的就是模式寄存器的设置。 IS42S16160D的模式寄存器要如下配置：
Dummy = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x33<<12))); 而官方例程中K4S561632J的模式寄存器配置代码如下：
Dummy = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x32<<13)));   这里为什么是左移12位而不是13位，还没想通。   关于模式寄存器为什么要这样设置，是因为SDRAM控制器会将地址的低13位行地址row发给SDRAM，然后再发高9位列地址colum。上面语句中的移位操作，就是将控制码移到高9位中，发给SDRAM，达到配置芯片的目的。 NXP官方发布的固件库里，EMC_Init的代码太死板了。下面的代码里的配置，是用了哪些引脚，就配置哪些引脚。 SDRAM的试验最主要的就是它的初始化，其他没什么特别的。初始化代码如下： void SDRAMInit( void )
{
 volatile uint32_t i;
 volatile unsigned long Dummy;
 
 LPC_IOCON->P2_16  = 0x21; // CAS
 LPC_IOCON->P2_17  = 0x21; // RAS
 LPC_IOCON->P2_18  = 0x21; // CLKOUT0
 LPC_IOCON->P2_20  = 0x21; // DYCS0
 LPC_IOCON->P2_24  = 0x21; // CKEOUT0
 LPC_IOCON->P2_28  = 0x21; // DQMOUT0
 LPC_IOCON->P2_29  = 0x21; // DQMOUT1
 
 LPC_IOCON->P3_0  = 0x21; // D0
 LPC_IOCON->P3_1  = 0x21; // D1
 LPC_IOCON->P3_2  = 0x21; // D2
 LPC_IOCON->P3_3  = 0x21; // D3
 LPC_IOCON->P3_4  = 0x21; // D4
 LPC_IOCON->P3_5  = 0x21; // D5
 LPC_IOCON->P3_6  = 0x21; // D6
 LPC_IOCON->P3_7  = 0x21; // D7
 LPC_IOCON->P3_8  = 0x21; // D8
 LPC_IOCON->P3_9  = 0x21; // D9
 LPC_IOCON->P3_10  = 0x21; // D10
 LPC_IOCON->P3_11  = 0x21; // D11
 LPC_IOCON->P3_12  = 0x21; // D12
 LPC_IOCON->P3_13  = 0x21; // D13
 LPC_IOCON->P3_14  = 0x21; // D14
 LPC_IOCON->P3_15  = 0x21; // D15
 
 
 LPC_IOCON->P4_0   = 0x21; // A0
 LPC_IOCON->P4_1   = 0x21; // A1
 LPC_IOCON->P4_2   = 0x21; // A2
 LPC_IOCON->P4_3   = 0x21; // A3
 LPC_IOCON->P4_4   = 0x21; // A4
 LPC_IOCON->P4_5   = 0x21; // A5
 LPC_IOCON->P4_6   = 0x21; // A6
 LPC_IOCON->P4_7   = 0x21; // A7
 LPC_IOCON->P4_8   = 0x21; // A8
 LPC_IOCON->P4_9   = 0x21; // A9
 LPC_IOCON->P4_10  = 0x21; // A10
 LPC_IOCON->P4_11  = 0x21; // A11
 LPC_IOCON->P4_12  = 0x21; // A12
 LPC_IOCON->P4_13  = 0x21; // A13
 LPC_IOCON->P4_14  = 0x21; // A14
 LPC_IOCON->P4_15  = 0x21; // A15
 LPC_IOCON->P4_16  = 0x21; // A16
 LPC_IOCON->P4_17  = 0x21; // A17
 LPC_IOCON->P4_18  = 0x21; // A18
 LPC_IOCON->P4_19  = 0x21; // A19
 LPC_IOCON->P4_20  = 0x21; // A20
 LPC_IOCON->P4_21  = 0x21; // A21
 LPC_IOCON->P4_22  = 0x21; // A22
 
 LPC_IOCON->P4_24  = 0x21; // OE
 LPC_IOCON->P4_25  = 0x21; // WE
 LPC_IOCON->P4_30  = 0x21; // CS0
 LPC_IOCON->P4_31  = 0x21; // CS1
 // EMC_Init();
 // Init SDRAM controller
 LPC_SC->PCONP     |= 0x00000800; // Set Bit PCEMC
 /*Init SDRAM controller*/
 LPC_SC->EMCDLYCTL |= (8<<0);
 /*Set data read delay*/
 LPC_SC->EMCDLYCTL |= (8<<8);
 LPC_SC->EMCDLYCTL |= (0x08 <<16);  LPC_EMC->Control      = 1;
 LPC_EMC->DynamicReadConfig = 1;
 LPC_EMC->DynamicRasCas0  = 0;
 LPC_EMC->DynamicRasCas0 |= (3<<8); // CAS Latency
 LPC_EMC->DynamicRasCas0 |= (3<<0); // RAS Latency
 LPC_EMC->DynamicRP    = P2C(SDRAM_TRP);
 LPC_EMC->DynamicRAS   = P2C(SDRAM_TRAS);
 LPC_EMC->DynamicSREX   = P2C(SDRAM_TXSR);
 LPC_EMC->DynamicAPR   = SDRAM_TAPR;
 LPC_EMC->DynamicDAL   = SDRAM_TDAL+P2C(SDRAM_TRP);
 LPC_EMC->DynamicWR    = SDRAM_TWR;
 LPC_EMC->DynamicRC    = P2C(SDRAM_TRC);
 LPC_EMC->DynamicRFC   = P2C(SDRAM_TRFC);
 LPC_EMC->DynamicXSR   = P2C(SDRAM_TXSR);
 LPC_EMC->DynamicRRD   = P2C(SDRAM_TRRD);
 LPC_EMC->DynamicMRD   = SDRAM_TMRD;  // 13 row, 9 - col, SDRAM
 //LPC_EMC->DynamicConfig0 = 0x0004680;
 LPC_EMC->DynamicConfig0 = 0x0000680;
 // JEDEC General SDRAM Initialization Sequence
 // DELAY to allow power and clocks to stabilize ~100 us
 // NOP
 LPC_EMC->DynamicControl = 0x0183;
 //for(i= 200*30; i;i--);
 for(i= 200*90; i;i--);// 2011-11-05 01:15:00 时间加长看效果
 
 
 // PALL
 LPC_EMC->DynamicControl = 0x0103;
 LPC_EMC->DynamicRefresh = 2;
 for(i= 256; i; --i); // > 128 clk
 for(i= 512; i; --i);// 2011-11-05 01:15:00 时间加长看效果
 
 LPC_EMC->DynamicRefresh = P2C(SDRAM_REFRESH) >> 4;
 // COMM     LPC_EMC->DynamicControl    = 0x00000083; /* Issue MODE command */
 Dummy = *((volatile uint32_t *)(SDRAM_BASE_ADDR | (0x33<<12)));
 // NORM
 LPC_EMC->DynamicControl = 0x0000;
 LPC_EMC->DynamicConfig0 |=(1<<19);
 
 for(i = 100000; i;i--);
 for(i = 100000; i;i--);// 2011-11-05 01:15:00 时间加长看效果
}