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1.作为一种RISC微处理器具有RISC在每条数据处理指令当中，都控制算术逻辑单元(ALU)和移位器获得最大的利用率；
(2)同时Load多条指令，以增加数据吞吐量；
(4)体系结构的字长为32位)位)位)3处理器支持7大部分应用程序都在User模式下时，执行的程序无法访问一些被保护的系统资源，也不能改变模式，否则就会导致一次异常。对系统资源的使用由操作系统来控制。
User、IRQ、Abort种模式也被称为异常模式。在处理特定的异常时，系统进入这几种模式。这5还有一种模式是system模式下基本相同。它是一种特权模式，用于有访问系统资源请求而又需要避免使用额外的寄存器的操作系统任务。
寄存器共有37个通用寄存器以及6处理器的不同工作模式所设立的专用状态寄存器，如下图：
ARM9级流水线操作：指令预取、译码、执行、数据缓冲、写回。ARM9个字的数据缓冲和4级流水已被很多的RISC结构的“经典”。
3.电路板上的ARM采用了ARM920T、存储管理单元MMU可以管理虚拟内存，高速缓存由独立的16KB数据高速Cache有两个内部协处理器：CP14。CP14用于存储系统控制以及测试控制。
S3C2410A LCD支持STN带有触摸屏的液晶显示屏)
Ø个通道的UART
Ø个具有PWM 8位ADC
Ø总线接口
Ø两个USB 设备接口
Ø接口
Ø：专用的逻辑测试时钟，时钟上升沿按串行方式对测试指令、数据及控制信号进行移位操作，下降沿用于对输出信号移位操作；
Ø：测试数据输入，用于接收测试数据与测试指令；
Ø被用来存放操作系统（从FLASH公司的K4S561632的同步DRAM。用2实现位扩展，使数据总线宽度达到32bit，将其地址空间映射在S3C2410A。
SDRAM 上升沿同步，由输入信号RA S、WE控制命令，其基本的控制命令如下：
SDRAM 命令设置模式寄存器，以便确定SDRAM 命令激活对应地址的组，同时输入行地址；然后通过RD 命令输入列地址，将相应数据读出或写入对应的地址；操作完成后用PCH 命令中止读或写操作。在没有操作的时候，每隔一段时间必须用ARF下图给出了SDRAM存储器
NOR是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
NOR，Execute In Place)闪存内运行，不必把代码读到系统RAM的传输效率很高，在1~4MB结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的管理和需要特殊的系统接口，S3C2410A控制器。
S3C2410A上的NOR FLASH位或32启动，需要通过OM0上电时的上下拉来设置：
和NAND FLASH(K9S1208)串口
S3C2410控制器，实现了并串转换。外部还需提供CMOS/TTL之间的转换：
3.5系统由USB ）、USB）和USB）组成。USB ），它是由硬件和软件结合实现的。根集线器是综合于主机系统内部的，用以提供USB的设备包括集线器（Hub）。
S3C2410A和USB device电源
LDO(Low Dropout)变换器中的降压变换器，它具有低成本、低噪声、低功耗等突出优点，另外它所需要的外围器件也很少，通常只有 1~2 在电路板上我们分别用两个LDO向3.3V（ARM监控电路采用MAX708其它
SN74LVTH62245A集成LCD触摸屏有电阻式、电容式等，其本质是一种将手指在屏幕上的触点位置转化为电信号的传感器。手指触到屏幕，引起触点位置电阻或电容的变化，再通过检测这一电性变化，从而获得手指的坐标位置。通过S3C2410A功能，完成电信号向屏幕坐标的转化，触摸屏接口如下：
的可编程I/O键盘，则需要m+n口，由软件实现键盘扫描，识别按键：
3.9本章讲解了基于S3C2410A
ARM处理器电路板硬件设计的基本组成，为后续各章提供了总体性的准备工作。
ARM9级流水线操作：指令预取、译码、执行、数据缓冲、写回。ARM9个字的数据缓冲和4级流水已被很多的RISC结构的“经典”。
3.电路板上的ARM采用了ARM920T、存储管理单元MMU可以管理虚拟内存，高速缓存由独立的16KB数据高速Cache有两个内部协处理器：CP14。CP14用于存储系统控制以及测试控制。
S3C2410A LCD支持STN带有触摸屏的液晶显示屏)
Ø个通道的UART
Ø个具有PWM 8位ADC
Ø总线接口
Ø两个USB 设备接口
Ø接口
Ø：专用的逻辑测试时钟，时钟上升沿按串行方式对测试指令、数据及控制信号进行移位操作，下降沿用于对输出信号移位操作；
Ø：测试数据输入，用于接收测试数据与测试指令；
Ø被用来存放操作系统（从FLASH公司的K4S561632的同步DRAM。用2实现位扩展，使数据总线宽度达到32bit，将其地址空间映射在S3C2410A。
SDRAM 上升沿同步，由输入信号RA S、WE控制命令，其基本的控制命令如下：
SDRAM 命令设置模式寄存器，以便确定SDRAM 命令激活对应地址的组，同时输入行地址；然后通过RD 命令输入列地址，将相应数据读出或写入对应的地址；操作完成后用PCH 命令中止读或写操作。在没有操作的时候，每隔一段时间必须用ARF下图给出了SDRAM存储器
NOR是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
NOR，Execute In Place)闪存内运行，不必把代码读到系统RAM的传输效率很高，在1~4MB结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的管理和需要特殊的系统接口，S3C2410A控制器。
S3C2410A上的NOR FLASH位或32启动，需要通过OM0上电时的上下拉来设置：
和NAND FLASH(K9S1208)串口
S3C2410控制器，实现了并串转换。外部还需提供CMOS/TTL之间的转换：
3.5系统由USB ）、USB）和USB）组成。USB ），它是由硬件和软件结合实现的。根集线器是综合于主机系统内部的，用以提供USB的设备包括集线器（Hub）。
S3C2410A和USB device电源
LDO(Low Dropout)变换器中的降压变换器，它具有低成本、低噪声、低功耗等突出优点，另外它所需要的外围器件也很少，通常只有 1~2 在电路板上我们分别用两个LDO向3.3V（ARM监控电路采用MAX708其它
SN74LVTH62245A集成LCD触摸屏有电阻式、电容式等，其本质是一种将手指在屏幕上的触点位置转化为电信号的传感器。手指触到屏幕，引起触点位置电阻或电容的变化，再通过检测这一电性变化，从而获得手指的坐标位置。通过S3C2410A功能，完成电信号向屏幕坐标的转化，触摸屏接口如下：
的可编程I/O键盘，则需要m+n口，由软件实现键盘扫描，识别按键：
3.9本章讲解了基于S3C2410A
ARM处理器电路板硬件设计的基本组成，为后续各章提供了总体性的准备工作。