DSP学习第六篇——Flash 的使用

(2011-11-17 15:08:37)   标签：

杂谈

分类： DSP学习 Flash芯片        Am29LV800B ：8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit)        Am29LV800B简称LV800，它是一个低功耗flash，工作在2.7 － 3.6v电压下，一般来说存储数据可以保存100年以上，可以重复编程次数高达10万次。A18到A0为外部地址管脚， DQ0–DQ15为16条数据线，CE＃为片选控制管脚（低有效），OE＃为输出控制管脚（低有效），WE＃为写入控制管脚（低有效）   Flash擦除        Flash一般有3种擦除方式：1按扇区擦除，2按块擦除，3整片擦除        前两种方法为写入小程序时采用的部分擦除方法。后一种方法适用于大程序编程写入flash。本实验例程给出了第三种擦除方法        擦除步骤

Attention：flash编程使用的是字地址   写flash    

       1，编程使flash进入正常工作状态        2，将要编程的flash空间擦除        3，写flash        4，将写入flash的中数据读出，进行读出校验     Flash_CS()与Flash_DisCS() 操作（读/写）flash前都要进行cpld片选flash的握手操作，即调用CS函数，操作完毕要释放dsp对flash的片选，调用disCS函数 CE1和CE2 接至  CPLD 使用 HX-5509 开发板通过功能选择寄存器组，利用 CE2、CE3 存储空间对各 寄存器组进行访问操作，操作流程如下： 1）读操作 ①写功能选择寄存器组（写  CE2 空间任意地址），使能需要操作的目标寄 存器组，对于读  LCD 数据，必须将  LCDDIR 置为  1； ②读目标寄存器组（读  CE2 空间任意地址） ； ③读操作完成后，再写功能选择寄存器组，禁用所有寄存器组。 2）写操作 ①写功能选择寄存器组（写  CE2 空间任意地址），使能需要操作的目标寄 存器组； ②写目标寄存器组（写  CE3 空间任意地址） ； ③写操作完成后，再写功能选择寄存器组，禁用所有寄存器组。 void Flash_CS()
{
   deminaddr = (int *)CESECT2;
   *deminaddr =0x00fd;
    deminaddr =(int*)CESECT3;
   *deminaddr =0x0040;
   deminaddr = (int *)CESECT2;
   *deminaddr =0x00ff;
} 附录：
void Flash_CS() { deminaddr = (int *)CESECT2; *deminaddr = 0x00fd;     deminaddr = (int *)CESECT3; *deminaddr = 0x0040; deminaddr = (int *)CESECT2; *deminaddr = 0x00ff; }
void Flash_disCS() { deminaddr = (int *)CESECT2; *deminaddr = 0x00fd;     deminaddr = (int *)CESECT3; *deminaddr = 0x00c0; deminaddr = (int *)CESECT2; *deminaddr = 0x00ff; }
void Flash_Reset()  //AM29LV800复位 { deminaddr = (int *)CESECT2; *deminaddr = 0x00fd;     deminaddr = (int *)CESECT3; *deminaddr = 0x0000; delay(1000); *deminaddr = 0x0040; *deminaddr = 0x00c0; deminaddr = (int *)CESECT2; *deminaddr = 0x00ff; }
Uint16 Flash_Erase_all()  //AM29LV800芯片擦除 {     Flash_CS();
deminaddr = (int *)CESECT1; addbias = 0x0555; *(deminaddr+addbias) = 0x00aa; addbias = 0x02aa; *(deminaddr+addbias) = 0x0055; addbias = 0x0555; *(deminaddr+addbias) = 0x0080; addbias = 0x0555; *(deminaddr+addbias) = 0x00aa; addbias = 0x02aa; *(deminaddr+addbias) = 0x0055; addbias = 0x0555; *(deminaddr+addbias) = 0x0010; delay(100); fstatus = *(deminaddr+addbias); fstatus &= 0x0040; fstatus2 = *(deminaddr+addbias); if((fstatus&fstatus2)!=0) { Flash_disCS(); return 0; } else { while(fstatus!=0x00ff)    { ddelay(500); fstatus = *(deminaddr+addbias); fstatus &= 0x00ff;    } Flash_disCS(); return 1; } }
Uint16 Flash_Erase_sector()  //AM29LV800分段擦除 { return 1; }
void Flash_Write_init()  //AM29LV800烧写初始化 { Flash_CS();
deminaddr = (int *)CESECT1; addbias = 0x0555; *(deminaddr+addbias) = 0x00aa; addbias = 0x02aa; *(deminaddr+addbias) = 0x0055; addbias = 0x0555; *(deminaddr+addbias) = 0x0020; }
Uint16 Flash_Write(Uint16 waddr, Uint16 wdata) //AM29LV800烧写 {     *(fwaddr+waddr) = 0x00a0; *(fwaddr+waddr) = wdata; delay(10000); fstatus = *(fwaddr+waddr);     while(fstatus!=wdata) { delay(10000); fstatus = *(fwaddr+waddr); } return 1; }
void Flash_Write_end()  //AM29LV800烧写结束 { deminaddr = (int *)CESECT1; *deminaddr = 0x0090; *deminaddr = 0x0000; Flash_disCS(); }
Uint16 Flash_Read(Uint16 raddr)  //AM29LV800读 { Uint16 frtemp; frtemp = *(fraddr+raddr); return frtemp; }
main() {     CSL_init();     CHIP_RSET(XBSR,0x0a01);      //设置系统的运行速度为144MHz*/     PLL_config(&myConfig);     //初始化DSP的外部SDRAM*/     EMIF_config(&emiffig); Flash_Reset();     //Flash_Erase_all运行大约为14s以上，为节约时间注释掉，用户可自行根据需要取消注释 success = Flash_Erase_all();

//以下程序为烧写AM29LV800 Flash_Write_init(); fwaddr = (int *)CESECT1;  //地址首先指向5509的CE1空间（AM29LV800所在） fwaddr += 0x10000;        //指向AM29LV800的1扇区 for(datacount=0;datacount<1000;datacount++) { success = Flash_Write(datacount, datacount); } Flash_Write_end();
//以下程序为读AM29LV800 for(datacount=0;datacount<1000;datacount++) { databuffer[datacount]=0; } Flash_CS(); fraddr = fwaddr; for(datacount=0;datacount<1000;datacount++) { databuffer[datacount] = Flash_Read(datacount); } Flash_disCS(); //运行到此处，在view--memory里查看databuffer开始地址的数据，看是否所写即所读     while(1); }