1.代码运行时间

代码运行时间，可以采用多种方式测量，它们之间是吻合的： Ø  示波器接IO引脚 Ø  CPU计数器 Ø  定时器0 Ø  EPWM模块

1.1示波器接IO引脚

将GPIO设置为通用IO口，输出模式，在待测试代码之前和之后，置位或者复位或者不断取反，即可在示波器上面读出代码运行时间； 对于一段运行时间不多的代码，示波器可能一出现一下就被覆盖掉了，测试这样的代码有两种方法： Ø  累计：在代码外面加一个比较大的数循环，从而得到累计时间，再除以这个大数，即得到真实值； Ø  循环：不断地执行这段代码，从而不断出现高低电平，这样就可以读到数据了；

1.2CPU计数器

菜单栏：Profile——Clock——Enable+View;即可在右下角看到计数器，计数代表的是CPU的计数个数，150MHZ情况下，乘以计数周期6.67ns即可得到真实值！ 双击该计数值即可清零！

1.3定时器0

设置完分频数之后，要将周期设置到很大，这样可以避免跨越周期的计数错误，比如如果只设置3000，计数到1000，你无法判断3000*N+2000中的N为多少；如果分频数设置过大，也会造成量化误差过大；

1.4EPWM模块

该模块同样存在定时器0的相似问题，一个增减计数，如果周期时1000，计数到800，就难以判断是在上升沿还是下降沿；一个办法是在此计数值读取之后，执行几句代码再读取一次，就可以求取斜率，从而判断上升下降沿！ 其他利用DSP内部模块测量，都与定时器和EPWM模块类似，存在的问题也类似！

2.CMD与MAP文件

2.1内存结构

所有的程序和数据都必须在内存中运行，２８３３５的各种内存如下表所示： 内存类型 容量Ｋ 含义 ＲＡＭ ３４ 掉电会丢失，速度比ＦＬＡＳＨ快 ＦＬＡＳＨ ２５６ 烧写程序和数据使用 ＲＯＭ １ 很少使用 ＰＦ ０－３ 数据空间，外设寄存器 ＰＩＥ   中断向量表

2.2CMD分配

Ø  Ｈ文件里面，通过结构体和共用体，将外设０－３的相关寄存器全部定义为结构体变量；Ｃ文件里面，使用＃ｐｒａｇｍａ　ＤＡＴＡ＿ＳＥＣＴＩＯＮ（Ｘ，Ｙ）指定这些结构体Ｘ分配到内存Ｙ中；然后在ＣＭＤ中，将外设空间分块，再将Ｙ指定分配到具体物理地址块中：DEV_EMU     : origin =0x000880, length = 0x000180　。这就是ＰＦ０－３的内存映射；这一部分是不变的，芯片型号一定，这些内容就定了，ＰＩＥ向量表也是这样分配 Ø  我们可以分配的就是ＲＡＭ和FLASH，可以通过指定#pragma DATA_SECTION()或者#pragma CODE_SECTION()将指定代码或者数据指定分配到某个地址，如果不指定，就由编译器分配；某些算法要求指定，比如FFT； Ø  以.reset为特征的，以点开始的是编译后的一些量，比如全局变量，这些可以查资料，自己没怎么关注！

2.3MAP

编译之后，File——Open,在debug里面，可以打开Map文件，李曼包含了编译后的物理内存分配信息：

这一块是代表内存分配，我们将所有的内存划分的小块，包括程序空间0和数据空间1；从左到右分别是：小块的属性（0-程序，1-数据）和名称，起始地址，长度，已经使用的空间，剩余的空间，地址的属性；

这个讲我们分配的段的物理地址，刚才那个是讲物理地址分块，现在这个是映射的意思。

这些是全局变量的地址；map文件就大概由这三类组成。查看map文件，可以看到剩余多少空间，以及空间不够合理的时候的优化等等！

2.4小结

CMD和map就主要管理内存！

3.烧写运行与在线仿真

3.1RAM在线仿真

编译完成之后，直接file——load program进去之后就可以跑了； 它测试的时间会比烧写到flash里面快很多，实际应用都是烧写，所以这种比较好像并没有意义，真正有意义的是下面两种；

3.2FLASH烧写运行

从RAM在线运行到flash烧写运行，需要改的地方： Ø  主函数里面：使用MemCopy函数将代码运行地址从RAM拷到flash里面；初始化FLASH，比如使能管道，可以提升速度，另外根据最高频率，设置最快翻页和等待时间：
Ø  CMD文件中：将指定段分配到具体的物理位置：

Ø  另外，不能再flash内部初始化flash,就是不能自己对自己操作，所以有了CMD文件里面的load出来，同时在源文件里面要对这个块进行指定： #pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs"); Ø  总结一下：其实程序真正是到load到ram里面，还是烧写到FLASH里面，是CCS里面点击不同按钮操作来决定的。上述的三个步骤只是保证烧写到flash里面可以正常运行而已：需要初始化flash，但是不能自给初始化自己，所以要将初始化代码，先指定一个段，然后再CMD中将该段设置为烧写后load。同时在主函数里面执行将该段代码复制出来再运行；应该就是这个逻辑！

3.3FLASH烧写、LOAD运行

Ø  与上一节烧写类似，上一节可以将FLASH初始化函数load出来运行，其他的load出来运行的步骤也是一样：指定代码分配；主函数里面复制代码，执行代码；CMD将指定的块分配到具体物理空间； Ø  Load运行主要用于某些对时间要求高的场合，烧写之后，如果load出来，速度大概可以达到百分之八十。应用场合包括，某些中断里面的反复做的控制等

3.4疑问

Ø  MemCopy函数中使用到的变量，举例： MemCopy(&RamfuncsLoadStart,&RamfuncsLoadEnd, &RamfuncsRunStart); 这些变量的定义： extern Uint16RamfuncsLoadStart; 但是并没有初始化，这一句也不知道是在这里定义还是只是在这里引用。我理解的是它是在编译器内部定义了的，这里只是一个引用申明：x的其实地址就是xLoadStart,以此类推。因为我自己使用的段，也可以这样使用，说明是编译器在管理；

4.外设

4.1ePWM

6路12个PWM，也可以配置为高精度PWM（这个自己没用过）。可用于三电平逆变器的控制，12路既可以对称控制，也可以单独控制；控制单元主要分为七个模块： 时基模块：确定计数周期，计数模式（上、下、上下）； 计数比较模块：计数比较寄存器； 动作模块：配置计数比较相匹配的模式（与周期相等，与零相等等），以及动作类型（置位、复位、翻转）； 死区模块：产生对称或者独立波形，死区设置； 斩波和错误联防：这两个模块没有使用过； 事件触发模块：计数值等于某个设定值后触发指定动作，可用于触发ADC，从而在中断里面实现采样控制；

4.2eCAP

该模块是复用的：6个既可以用于PWM产生——只能产生独立的PWM，也可以用于捕获上升沿或者下降沿；

4.3ADC

4.3.1采样

Ø  电流采样，主要采用CT进行；电压采样，既可以用PT，也可以用一串电阻串联，从中某个电阻取电压； Ø  电流采样之后，一般也要经过一个电阻，转化为电压信号，再到后面进行处理

4.3.2调理

Ø  最基本的电压跟随器，解除负载效应； Ø  使用二极管限幅，因为调理之后就要输入ＡＤＣ模块，该模块有幅值限制； Ø  对于交流量，可能会使用一个加法电路，叠加一个直流量，将信号提到ＡＤＣ接受的范围内； Ø  使用电容等构成滤波电路，这个截止频率很大，用于稳压，滤掉极高频分量；

4.3.3ADC

Ø  主要看两个指标：转换精度——用转换位数来表示，比如１２位代表最大值３Ｖ只能转换到４０９５，如果位数增加，转换精度则增加；转换速度——这个可以配置，自己没有亲自动手配置过； Ø  ＡＤＣ有多种转换方法，在数字电路里面有详细，但是在ＤＳＰ里面只需要封装好，不需要去管这些内部细节； Ø  ＡＤＣ模块可以配置为单独两组８个，也可以级联为一组１６个；可配置转换数量，转换储存位置；可触发中断； Ø  有空可以自己动手写一写这个模块的代码！