高性能静态CMOS技术
高达150HZ(6.67-ns循环时间) 。1.9v的核心电压，3。3v的输入输出（IO）电压。
高性能的32位的处理器
IEEE 754 标准的单精度浮点单元。快速的中断响应和进程。高效的代码。
6通道的DMA控制器
（ADC,MCBSP,XINTF SDRAM）.
16位或者32位的外部接口（XINTF）
超过2MX16的地址范围。
片上存储器：
256KX16的flash，34KX16的SARAM。1KX16的OTP ROM。
8KX16的BOOT（引导） ROM
软件的引导模式（SCI,SPI,CAN,IIC,MCBSP,XINTF,平行IO）。
系统和时钟控制
支持动态的PLL变换，片上振荡器，看门狗模块。
GPIO0到GPIO63可以连接八个外部核心中断之一。
外部中断（PIE）模块
支持共计58个外部中断。
加大了外围设备控制
18路PWM输出，6路平均150ps分辨率的脉冲调制器，6个事件捕捉中断，2个积分编译器接口，
3个32位的cpu定时器
连续的外围端口设备
2个CAN总线模块，3个SCI（串口模块），一个SPI模块2个McBSP模块，一个IIC总线
16路12位的ADC
80ns转化率，内部或外部参考，单独或者联立的转换，2X8路输入复用。
88个输入过滤独立可编程多路复用的GPIO
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