（1）存储器比较

       介绍如何烧写FLASH之前先说说F280049的RAM调试。F280049提供了两种下载调试方式：RAM调试和FLASH调试。

• RAM调试：编译器将程序下载到DSP的片内RAM中，众所周知，RAM属于随机存储器，其读写速度快，因此，将程序下载到RAM中的速度比较快，方便程序的调试。但是，RAM属于易失性存储器，其存储的数据掉电消失。因此，RAM下载只适合程序的调试，不适合应用。
• FLASH调试：编译器将程序下载到DSP的片内ROM中，ROM属于非易失性存储器，掉电后能保存程序。但是ROM的读写速度比较慢，不适合程序的调试。

（2）RAM下载工程的建立

       TI提供了两种cmd文件，RAM下载时使用的CMD文件是：28004x_generic_ram_lnk.cmd。        工程的建立请参考以下这篇博客：        https://blog.csdn.net/fanxianyan1993/article/details/88090308

（3）FLASH工程的建立

        FLASH工程在建立的RAM下载工程的基础上作相应的修改，首先需修改CMD文件修改为：28004x_generic_flash_lnk.cmd 另外还需添加一个CMD文件，如下图所示： 还需要添加两个文件，如下图所示： 文件添加完成之后，工程目录如下所示： 再打开device.h头文件，添加宏定义如下所示： #define _FLASH  添加  _FLASH 宏定义主要是使如下代码段参与编译：    编译工程，点击下载按钮，等待下载完成，程序就下载到了ROM中，掉电重启后程序还可运行即说明程序成功的下载到了FLASH。