{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn//data/attach/topic/topicKPo7gB.jpg', '推荐 cometwo 的文章《F28335 学习系列一____FLASH 搬移到RAM 运行实现方法》','https://www.xiaopingtou.net/article-85207.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
(帖子的内容已经转成PDF格式放在附件里)
本人学习28335 有一段时间了，每次都有这样的感觉：“讲解F28335的资料太少了！”。特别是在使用F28335遇到困难时，往往要调动百度， google 等各大搜索引擎，方能寻觅点零星的资料。店面上出售的TI C2000 系列DSP 中文资料以2407 和2812 为多，全部讲解的28335 的中文资料没有（不知道是不是我没有发现，有的同志，麻烦您给我留个言啊）。我现手上有一本参考书：<>，电子工业出版社，这里面讲到了28335 的几个模块，刚开始学习的同志可以借鉴下。
学习的方法主要有2 种，理论学习和实践学习。在正式讲述本节内容之前我先强调下，我写这些文字没有很复杂的理论知识介绍，也没有很详细的原理讲述，我传递的只是一种方法，能够帮你解决问题的方法。当然，我不是强调理论知识不重要，因为这里如果理论也介绍，方法也介绍，恐怕每个方面都讲不清楚，而且看起来也比较费劲，理论知识总让我想起一串串复杂的公式。本节就是教会你怎样将F28335在FLASH 里面运行的程序搬移到RAM里面运行。
使用过TI DSP 或正在使用的人都知道，DSP 程序可以放在RAM 里面运行，也可以放在FLASH 里面运行。两者有一定的区别：
（1）前者程序运行时，连接着仿真器，后者脱离仿真器;
（2）前者断电程序丢失，后者不会;
（3）前者程序运行速度快，后者慢;
（4）二者空间大小可能不一样（取决于芯片型号）;
（5）前者没有烧写次数的限制，而后者有;
所以在RAM 里面运行适合项目的初期调试，方便快捷，当最终程序全部调试完后，做成产品销售时，将程序烧写到FLASH 里面（特殊场合，比如在做高压的实验时，可以考虑将程序烧写到FLASH 里面调试）。
在上面5 点当中，第3 点我加了强调，在一个实际的项目里面，程序的运行速度是很受关注的，我曾对F28335在FLASH 里运行程序和在RAM 里面运行程序做过对比，相同的代码在FLASH 和RAM 里面运行时间如下表：
表1 FLASH 和RAM 里程序运行区别表
一段程序代码 运行时间 RAM 里运行 5us FLASH 里运行 25us
从上表可以看出，RAM 里面运行程序比FLASH 里面运行程序快近5 倍（只对F28335，其它芯片不一定适用），所以寻找一种可以提高程序在FLASH 里运行速度的方法，对提高程序总体性能很有帮助。
通过很多前辈们的努力，终于寻找到一种方法：将程序烧写到FLASH 里面，上电时将程序搬移到RAM 里面运行。这即满足了掉电程序不丢失，又满足了程序运行速度高的要求，可谓一箭双雕。
本人在遇到这个问题以后，对这种方法很感兴趣，想尝试一下，找了很多资料（包括理论和实践），摸索了一天一点头绪都没有，用TI FLASH 例程也能够烧进去，但程序执行不对。开始有点灰心了，但又不死心。继续研究了一天，发现TI 给的例程和网上一些热心网友们给的例程都是将指定的代码搬移到FLASH 里面，可以通过：
#pragma CODE_SECTION(函数名, "存储器入口地址");语句完成，感觉很简单，但就是调试不出来。最后，突然想起来，可不可以不这样做，找一个能够将所有程序均搬移到RAM 里面的方法。
……
中间省略号就是本人奋斗的过程，开始之前就讲了，写这些文字是将一种方法分享给大家，至于研究奋斗的过程就不详细描述，不然恐怕说几十页纸都讲不清楚。接下来就一步步教大家如何建立一个能够将FLASH 里面程序上电时搬移到RAM 里面运行的工程。
1、 建立一个工程;（怎么建立省略）
2、 将工程里面源文件（source）的“DSP2833x_SysCtrl.c”、“DSP2833x_usDelay.asm”和“DSP2833x_CodeStartBranch.asm”文件（如果用的是TI 提供的文件就是这四个文件） 分别替换成“ DSP28xxx_SysCtrl.c ”、“ DSP28xxx_usDelay.asm” 和“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm” 。
另外，在将“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”文件添加到工程里面;
备注： “ DSP28xxx_SysCtrl.c ” 、“ DSP28xxx_usDelay.asm ” 、
“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm”和“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”
我已经放在附件里面上传了。
3、 添加CMD：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”。
如果工程里面已经有了CMD，要换成这2 个。
备注：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”也
已经放在附件里。
4、 编译烧写。
大功告成了，各位可以试试，做个对比，看下不用这种方法和用这种方法程序分别执行的时间，差别很惊人哦！如果按照以上教你的步骤还是不行，可以给我留言！当然，能够成功烧写也可以留言哈！
就此搁笔！愿君安好！^_^
本人学习28335 有一段时间了，每次都有这样的感觉：“讲解F28335的资料太少了！”。特别是在使用F28335遇到困难时，往往要调动百度， google 等各大搜索引擎，方能寻觅点零星的资料。店面上出售的TI C2000 系列DSP 中文资料以2407 和2812 为多，全部讲解的28335 的中文资料没有（不知道是不是我没有发现，有的同志，麻烦您给我留个言啊）。我现手上有一本参考书：<
学习的方法主要有2 种，理论学习和实践学习。在正式讲述本节内容之前我先强调下，我写这些文字没有很复杂的理论知识介绍，也没有很详细的原理讲述，我传递的只是一种方法，能够帮你解决问题的方法。当然，我不是强调理论知识不重要，因为这里如果理论也介绍，方法也介绍，恐怕每个方面都讲不清楚，而且看起来也比较费劲，理论知识总让我想起一串串复杂的公式。本节就是教会你怎样将F28335在FLASH 里面运行的程序搬移到RAM里面运行。
使用过TI DSP 或正在使用的人都知道，DSP 程序可以放在RAM 里面运行，也可以放在FLASH 里面运行。两者有一定的区别：
（1）前者程序运行时，连接着仿真器，后者脱离仿真器;
（2）前者断电程序丢失，后者不会;
（3）前者程序运行速度快，后者慢;
（4）二者空间大小可能不一样（取决于芯片型号）;
（5）前者没有烧写次数的限制，而后者有;
所以在RAM 里面运行适合项目的初期调试，方便快捷，当最终程序全部调试完后，做成产品销售时，将程序烧写到FLASH 里面（特殊场合，比如在做高压的实验时，可以考虑将程序烧写到FLASH 里面调试）。
在上面5 点当中，第3 点我加了强调，在一个实际的项目里面，程序的运行速度是很受关注的，我曾对F28335在FLASH 里运行程序和在RAM 里面运行程序做过对比，相同的代码在FLASH 和RAM 里面运行时间如下表：
表1 FLASH 和RAM 里程序运行区别表
一段程序代码 运行时间 RAM 里运行 5us FLASH 里运行 25us
从上表可以看出，RAM 里面运行程序比FLASH 里面运行程序快近5 倍（只对F28335，其它芯片不一定适用），所以寻找一种可以提高程序在FLASH 里运行速度的方法，对提高程序总体性能很有帮助。
通过很多前辈们的努力，终于寻找到一种方法：将程序烧写到FLASH 里面，上电时将程序搬移到RAM 里面运行。这即满足了掉电程序不丢失，又满足了程序运行速度高的要求，可谓一箭双雕。
本人在遇到这个问题以后，对这种方法很感兴趣，想尝试一下，找了很多资料（包括理论和实践），摸索了一天一点头绪都没有，用TI FLASH 例程也能够烧进去，但程序执行不对。开始有点灰心了，但又不死心。继续研究了一天，发现TI 给的例程和网上一些热心网友们给的例程都是将指定的代码搬移到FLASH 里面，可以通过：
#pragma CODE_SECTION(函数名, "存储器入口地址");语句完成，感觉很简单，但就是调试不出来。最后，突然想起来，可不可以不这样做，找一个能够将所有程序均搬移到RAM 里面的方法。
……
中间省略号就是本人奋斗的过程，开始之前就讲了，写这些文字是将一种方法分享给大家，至于研究奋斗的过程就不详细描述，不然恐怕说几十页纸都讲不清楚。接下来就一步步教大家如何建立一个能够将FLASH 里面程序上电时搬移到RAM 里面运行的工程。
1、 建立一个工程;（怎么建立省略）
2、 将工程里面源文件（source）的“DSP2833x_SysCtrl.c”、“DSP2833x_usDelay.asm”和“DSP2833x_CodeStartBranch.asm”文件（如果用的是TI 提供的文件就是这四个文件） 分别替换成“ DSP28xxx_SysCtrl.c ”、“ DSP28xxx_usDelay.asm” 和“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm” 。
另外，在将“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”文件添加到工程里面;
备注： “ DSP28xxx_SysCtrl.c ” 、“ DSP28xxx_usDelay.asm ” 、
“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm”和“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”
我已经放在附件里面上传了。
3、 添加CMD：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”。
如果工程里面已经有了CMD，要换成这2 个。
备注：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”也
已经放在附件里。
4、 编译烧写。
大功告成了，各位可以试试，做个对比，看下不用这种方法和用这种方法程序分别执行的时间，差别很惊人哦！如果按照以上教你的步骤还是不行，可以给我留言！当然，能够成功烧写也可以留言哈！
就此搁笔！愿君安好！^_^
- DSP28xxx_CodeStartBranch.asm 3.37 KB, 下载次数: 228
- DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm 3.25 KB, 下载次数: 198
- DSP28xxx_SysCtrl.c 11.77 KB, 下载次数: 205
- DSP28xxx_usDelay.asm 2.65 KB, 下载次数: 184
- DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd 8.24 KB, 下载次数: 194
- F2833x_nonBIOS_flash.cmd 7.02 KB, 下载次数: 190
- F28335学习系列一___FLASH搬移到RAM里运行实现方法.pdf 93.03 KB, 下载次数: 360