{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn//data/attach/topic/topicKPo7gB.jpg', '推荐 koolfret 的文章《硬件设计21之高速电路设计DCDC电源》','https://www.xiaopingtou.net/article-85394.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
时间：2018.4.7 作者：Tom 工作：HWE 说明：本文主要是学习王剑宇的《高速电路设计实践》，已注明转载。
MOSFET属于单极型压控器件，工作时，在栅极上消耗的电流极小。且其工作原理只涉及多数载流子（多子），不受少子的影响。因此其影响速度和功率效率都高于三极管。
MOSFET属于单极型压控器件，工作时，在栅极上消耗的电流极小。且其工作原理只涉及多数载流子（多子），不受少子的影响。因此其影响速度和功率效率都高于三极管。