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智能卡的微控制器是通过它的触点电极C1来获得其电源电压的。根据GSM
11.11规范，此电流不能超过10nuAoISO标准的现行版本规定值为200mA，从技术上来说这是过时的，将肯定要改变以反映目前的技术状态。
智能卡的功率消耗是50mW，即5V的电源电压和假定的10mA的电源消耗。即使这样的功率损耗在大约25mm＇的表面区域上，这仍是相当低的并不需要考虑芯片可能的自热问题。
微控制器的电流损耗直接与所用的时钟频率成正比，意味着可以规定最大的电流损耗，或是把电流作为时钟频率的函数，如图1所示。电流也和温度有关，但影响不是那么大。
图1 正常工作模式（不是休眠模式）时，微控制器相对于时钟频率及温度
的电流损耗。休眠模式时随时钟频率相关的电流损耗也是直线性
的，在5MHz时大约为5011-A（和微控制器的类型有关） 电源电流的一个重要细节曾经使终端制造商感到头痛，这就是所有使用中的微控制器都是基于CM0S技术的，而晶体管开关过程中可能会短时出现大的短路电流，所产生的电流尖峰会比标称的工作电流大很多倍（持续时间在纳秒的范围），这些尖峰也会在EEPROM电荷泵接通时出现。如果终端在这些短暂的时间区间内不能供应这样高的工作电流，供电电压将降低到允许值之下，有可能在EEPROM中出现一个写错误或触发芯片上的低电压检测器。 实际上，这些尖峰在每一有关的标准和规范中都会涉及到，所需电源电流应当能应付最长持续时间为400ms，最大幅度为200mA的尖峰电流。假定尖峰是三角形的，相当于40mA/s的电荷，可以在地和供电电源线之间接一个100nF的陶瓷电容器来解决此问题，要尽可能接近卡的触点。 可以期待CSM规范会把最大允许电流损耗降低为1mA，以尽可能延长移动电话的电池工作时间。随着半导体技术的快速进步，做到这一点不会有太多的困难。只有EEPROM所需的写电流仍旧是一大障碍，但随着EEPROM单元的日益小型化，从而导致单元电荷的减少，将有可能达到InnA/s的数值。 几乎所有的微控制器都具有一个节电模式，其间除了I/0中断外，芯片的所有部分都是非活化的。在此状态时，微控制器的电流损耗有了很大的降低，它被称为休眠模式，只有I/O接口的中断逻辑和RAM需要加电，而其余的元件均可关掉。在此状态时，RAM的内容必须予以维持，以保存现在的工作状态参数。实践中，处理器经常也是加电的，但ROM和EEPROM都被关掉了。对于用电池工作的移动电话而言，对这种模式特别感兴趣，于是，GSM 11.11规定在1MHz时钟，25℃的休眠模式下最大允许电流为200rtA，将来还计划着把最大电流损耗减少至10ttA。
图1 正常工作模式（不是休眠模式）时，微控制器相对于时钟频率及温度的电流损耗。休眠模式时随时钟频率相关的电流损耗也是直线性
的，在5MHz时大约为5011-A（和微控制器的类型有关） 电源电流的一个重要细节曾经使终端制造商感到头痛，这就是所有使用中的微控制器都是基于CM0S技术的，而晶体管开关过程中可能会短时出现大的短路电流，所产生的电流尖峰会比标称的工作电流大很多倍（持续时间在纳秒的范围），这些尖峰也会在EEPROM电荷泵接通时出现。如果终端在这些短暂的时间区间内不能供应这样高的工作电流，供电电压将降低到允许值之下，有可能在EEPROM中出现一个写错误或触发芯片上的低电压检测器。 实际上，这些尖峰在每一有关的标准和规范中都会涉及到，所需电源电流应当能应付最长持续时间为400ms，最大幅度为200mA的尖峰电流。假定尖峰是三角形的，相当于40mA/s的电荷，可以在地和供电电源线之间接一个100nF的陶瓷电容器来解决此问题，要尽可能接近卡的触点。 可以期待CSM规范会把最大允许电流损耗降低为1mA，以尽可能延长移动电话的电池工作时间。随着半导体技术的快速进步，做到这一点不会有太多的困难。只有EEPROM所需的写电流仍旧是一大障碍，但随着EEPROM单元的日益小型化，从而导致单元电荷的减少，将有可能达到InnA/s的数值。 几乎所有的微控制器都具有一个节电模式，其间除了I/0中断外，芯片的所有部分都是非活化的。在此状态时，微控制器的电流损耗有了很大的降低，它被称为休眠模式，只有I/O接口的中断逻辑和RAM需要加电，而其余的元件均可关掉。在此状态时，RAM的内容必须予以维持，以保存现在的工作状态参数。实践中，处理器经常也是加电的，但ROM和EEPROM都被关掉了。对于用电池工作的移动电话而言，对这种模式特别感兴趣，于是，GSM 11.11规定在1MHz时钟，25℃的休眠模式下最大允许电流为200rtA，将来还计划着把最大电流损耗减少至10ttA。