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1. 首先介绍下反激电源的三种模式 :CCM,DCM,CRM 。
上图可见,DCM和CCM是固定频率的,CRM是可变频率的。其中Id为副边的输出电流。分析上图,可知CCM模式下,电流不会趋于0。DCM模式下,电流会趋于0,并且有一定的死区时间。CRM模式下,电流刚刚到达零时,就会导通开关管。
这里有2个需要解释的点:
- DCM模式下,Vds会有一定的震荡,这个震荡是由于源边电感的漏感形成的。电感由两部分组成:励磁电感+漏感。这个励磁电感可以通过磁场把能力耦合到副边,但是漏感则只能在源边通过RCD吸收电路,形成LC谐振,进行释放。
- CRM模式下,开关管的频率会有一个fmax的值,当负载太重时,电流刚到达0时(即第一个震荡的波谷),此时f的值大于fmax,开关管不会动作,它会等待下一个波谷,直至f的值小于fmax的值时,才会导通开关管。这里就会有一段电流为0的时间,也就是死区时间,其实这个时候也就进入了DCM模式。
其中:I为有效值,Idc为直流分量,Iac为交流分量。I²=Idc²+Iac²。D=t/T. Ip为峰值电流。源边与副边的电流波形是对称的。
对于源边来说: Idc是是整流后输入的平均值,Iac为整流后的AC分量,它会和2备的工频电压一起施加在整流后的滤波电容上。
对于副边来说: Idc就是输出电流,Iac为滤波电容上的AC分量,通过已知滤波电容的ESR值,可以算出滤波电容上的纹波电压。
3.变压器的计算方式
- 匝比的计算
匝比的选取跟工作模式没有关系,只与我们的设计参数选定有关。首先设定开关管的耐压Vds及设定dearating,同时假定允许的最大spike值α。Vds=Vin+Vc, Vc=Vs*Np/Ns, 因此
Np/Ns=(Vds-Vin-α)/(Vf+Vout).
- CCM模式的计算
首先引入公式:
电感电流爬升率:△Ids=Vin/LP*Ton
伏秒平衡,
Vin*Ton=Vp*Toff,Vp/Vs=Np/Ns,
Vin*Ton=(Vout+Vf)*Toff*Np/Ns
首先根据伏秒平衡,并且固定频率,可以求出D,Ton的值。
再算副边输出波形,带入公式:
1.Iout=Idc=(Ip-△Id/2)(1-D)=(Id1+Id2)(1-D)
2.△Id=Id1-Id2=(Vout+Vf)/Ls*Toff
已知Iout,Vout, Vf,Ton, D,3个变量Id1,Id2和Ls。Ls可以认为给定的,给如一个值Ls,求出Id1和Id2.
L=N²*1/Rm, Rm=Le/(uA)(Le是磁环长度) Rm是磁阻。
IpNp=Is*Ns
可知Lp,Is,Ns.到这里副边源边的输出电流波形和电感值都可以求出来了,那么现在验证我们给定的Ls值是否合理。
1.计算磁通Bmax,线圈是否饱和。
2.算单位磁通密度△B,然和已知频率,体积就可以算出磁芯的发热。
3.根据变压器的骨架,可知变压器的绕线空间Aw,在除以电流,可以算出单位面积的电流多大,看是否符合。
- DCM模式的计算
DCM的计算和CC类似,只是多了个死区时间。
1.Iout=Idc=IsD/2, 三角波的平均值
2.Is=(Vo+Vf)/LsToff = (Vo+Vf)/Ls*(D/f)电流爬升率公式
上面2个方程,3个变量D,Is,Ls.假设Ls值可以求出D,Is
同理
IpNp=IsNs, 求出Ip。
Lp/Ls=(NP/NS)²,求出Lp.
Ip=Vin/Lp*Ton,求出Ton时间。
这里我们的DCM的波形也求算出来了,下面还是一样验证我们设定的Ls值是否符合设计要求,同CCM类似。
- CRM模式的计算
CRM是CCM和DCM的临界,理想情况下是每次电流过0的时候就会切换MOSFET,所以没有死区时间。
1.Vin*Ton=(Vout+Vf)Toff*Np/Ns ,伏秒平衡。
2.Iout=Idc=IsD/2=Is*Toff/(Toff+Ton) /2, 三角波的平均值
3.Is=(Vout+Vf)/Ls *Toff.
三个方程,4个未知量了Ton,Toff,Ls,Is,给定Ls 求出另外3个变量,并算出频率F。
同理可以求出源边电流波形Lp, Np.
这样我们的CRM的电流波形也求算出来了,下面还是一样验证我们设定的Ls值是否符合设计要求,同CCM类似。