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晶体管放大电路之负载应用
2019-07-14 00:38
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电源技术
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一般晶体管放大电路多采用共发射极放大电路。然而该电路有一些缺点,如:输出阻抗高,容易受到负载所接的电路的影响。因此,在构成放大电路时,必须对输出进行强化,即降低输出阻抗。进而引出了射极跟随器,它可用在驱动电机和扬声器等阻抗低的负载电路上。
这里主要说明它的性能和应用,电路的设计会另外说明。
射极跟随器对电压没有放大作用,但是对电流有很强的放大,而且输入和输出相位相同。在使用发射极负载电阻
RE
的射极跟随器,在取出很大电流(接上阻抗低的负载)时,输出波形的负侧截去,根据这种情况进而引入了推挽型射极跟随器。如图:
但是在中间
0V
附近时,两个晶体管都处在截止状态,就会出现交越失真,为了克服这种情况,给两个晶体管的基极
-
发射极之间加上两个二极管从而产生
0.6V
的补偿压降以取消晶体管的盲区。
但是这种加入补偿压降的推挽型射极跟随器受温度影响很大,原因:晶体管
VBE
的值具有温度越高就越小的负温度系数。当温度升高时,
VBE
减少,但二极管流动的电流变化不大,这样就进一步增加了集电极电流。接入如果有一个动态的补偿电压,就解决了这个问题,进而引入了热耦合电路,如图:
有时候,我们可能需要更大的电流,像射极跟随器这种电路就不能满足我们的需要,我们就会考虑增大晶体管的
hFE
,这里就提出了达林顿连接,利用达林顿连接能够以较小的基极电流控制大电流。如图:
但是像达林顿连接随着集电极电流的大小变化,射极跟随器的电流放大度发生了变化器结果是增大了失真。于是,我们往往会采用并联连接,这样每个晶体管的输出电流大幅度地减少。使得每一个晶体管的发热量也大幅度地减少了,电路变得稳定。
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