data/attach/1907/t39ckp6c2miiip8besm33bqy00v45mvz.jpg 我的电源之路日记——坚持便能做到想做的。 现在是大三上学期，2015年11月3号上午于8-111。 最近这些天闲着无聊创建了博客，准备做一个长久的电源攻城师，我准备好了，你呢？ Buck电路之同步整流：先上图
在选择拓扑的时候，没有多想，直接选择了同步整流的拓扑结构，采用了电源隔离，一直以为地分开就是了，所以采用了两路15v的隔离电源，没想到居然误解了悬浮地的概念，请教了学姐恍然大悟，原来悬浮地可以只将地给悬浮了。 而参数上面，我本意是做一个30-12v输出最大2A的DC-DC，没有想太多，简单的认为一个降压电路就行了，不搞太复杂，毕竟是刚上路不久。所以通过搜资料问学zhang决定了这么做。在尖峰吸收回路上面我是有很多疑问的，首先，mosfet的开通关断会产生很大的浪涌电压he浪涌电流，驱动波形会产生很大的尖峰，寻找了好多的尖峰吸收电路（不过也就那几种），问了有经验的学姐学长，得到了一个答案RC吸收回路就行了，而选择值则是靠自己经验取，他们的经验值是102-100，电阻大了不好，电容大了损耗大，电容小了没什么作用。我偏爱这个肖特基管fr107，所以选择RCD，还没有请教老师，不怎么想去耽误老师。电感值是自己计算得到的，网上公式很多的，所以不列出来了。因为每一个电路算的都不一样。电容是越多越好（注意度-体积-面积），电容有一个必须得好好考虑的，那就是它的esr，这个东西它很坑，有时它还是有点点好处的，我至今没发现ESR有什么好处，只知道它会有点好处。mosfet的选择，在实验室嘛，当然首先考虑实验室有的器件，当然我用的这个IRF540也是挺好的，参数没得说，够用。典型值Rds=49m欧姆，最大77m，前提：Vgs=10v，Id=17A。IRF540的G极加了两个电阻22欧姆是用来防止过激励和欠激励，太大了会影响mosfet的正常开通关断。一般100以内吧，我一般取10或22欧姆。采样电阻我选择0.1欧姆的康铜丝，地端的处理相当的重要。电压采样相对简单，使用电阻分压采样，加了一个运放跟随，阻抗匹配（现在理解还是不够深）。简单一个buck在我这里是这么做的，忘了一个很重要的东西：死区，程序里面一定要加死区。不然管子会啪啪啪的。至于死区怎么加，等调试再说。现在只做了硬件。理解错了的地方或者需要改进的希望能指正。谢谢。

不积跬步无以至千里，不积小流无以成江海。蠢是没有办法改变的了，只有努力吧。我就是蠢，但是我相信我可以的。不信来战！