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- 如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小
MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。 - 栅极电阻阻值过大
MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速身高。 - 在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极，并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线，栅极电压过高击穿MOS管。